Drogaggio per diffusione termica: differenze tra le versioni
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Il '''[[drogaggio]] per diffusione termica''' è un processo nel quale i wafer di [[silicio]] vengono portati a temperature superiori a 1000 [[Celsius|°C]] per attivare la diffusione del [[drogante]] nel silicio stesso.
Raggiunta la concentrazione desiderata, è sufficiente abbassare la temperatura dei wafer, estraendoli dalla fornace, per far crollare i valori del [[coefficiente di diffusione di materia]], bloccando così il processo.
Il processo diffusivo si articola fondamentalmente in tre fasi:
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La diffusione termica era il metodo preferito di drogaggio dei wafer di silicio prima dell'introduzione dell'[[impiantazione ionica]].
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