Hot carriers injection: differenze tra le versioni

Versione delle 01:06, 14 feb 2012

Versione delle 16:44, 1 giu 2012

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=== HCI nelle memorie flash ===

{{vedi anche|Memoria flash}}

La tecnica HCI è utilizzata nella fase di programmazione delle memorie ''NOR flash'', costituite da [[transistor]] [[MOSFET]] detti [[Floating Gate MOSFET]], caratterizzati dall'avere due terminali di ''gate'' anziché uno soltanto. Uno è il solito CG (''Control Gate'') mentre l'altro viene chiamato ''Floating Gate'' (FG), che risulta essere completamente isolato da uno strato di [[ossido]]. Il floating gate si trova tra il CG e il substrato. Le ''NOR flash'' vengono programmate attraverso l'hot-electron injection: viene applicata una tensione sul CG, la quale avvia un flusso di elettroni che, percorrendo il canale creatosi dall'accensione del transistor, passano dal ''source'' al ''drain''. Gli elettroni con energia più elevata attraversano lo strato di ossido che separa il canale dal FG e venendone intrappolati allinternoall'interno.

{{portale|fisica}}