CMOS: differenze tra le versioni
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formattato un po'. bisogna scrivere bene le formule |
→Potenza dinamica dissipata da un CMOS: sistemato alcune formule con i tag math |
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* Potenza di cortocircuito
* Potenza associata alla carica/scarica del condensatore
:<math>P_{(
===Potenza di cortocircuito===
Trascuriamo la capacità parassita
Dall'istante
Quindi la potenza avrà un valore non nullo in quei punti; ricordiamo che la potenza dinamica è:
[[Immagine:Pot dinamica media(Vi,Id,t).jpg|thumb|right|Grafico della
:
Quindi calcoliamo la potenza media:
:<math>P_{d media} = \frac {1}{T} \left [ \int_{t_a}^{t_b} P_d dt + \int_{t_b}^{t_c} P_d dt + \int_{t_d}^{t_e} P_d dt + \int_{t_e}^{t_f} P_d dt \right ] =</math>
:<math>= \frac {V_{dd}}{T} \left [ \int_{t_a}^{t_b} I_{dn,sat}(t) dt + \int_{t_b}^{t_c} I_{dp,sat}(t) dt + \int_{t_d}^{t_e} I_{dp,sat}(t) dt + \int_{t_e}^{t_f} I_{dn,sat}(t) dt \right ]</math>
Facendo l'ipotesi di MOS complementari
:<math>\beta n = \beta p</math>
:
Allora
:<math>I_{dn,sat} = I_{dp,sat}</math>
Si viene ad avere
:<math>P_{d media} = \frac {4 V_{dd}}{T} \left [ \int_{t_a}^{t_b} \frac {\beta n}{2} (V_{gsn}(t) - V_{tn})^2 dt \right ]</math>
Possiamo conoscere gli estremi di integrazione tramite l'equazione
:<math>t :
:<math>t =
:
Sostituendo:
:(Media)Pd = 4Vdd/T [ ∫tr/2 a tr*Vtn/Vdd βn/2(Vi(t)-Vtn)²dt ]
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