CMOS: differenze tra le versioni

Versione delle 09:13, 7 lug 2013

Versione delle 09:15, 7 lug 2013

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In realtà ci sono piccole correnti di perdita (per caricare/scaricare le capacità parassite, la corrente di cortocircuito durante la commutazione di stato, per perdite alle giunzioni e per le correnti di sottosoglia), trascurabili se il numero dei MOS è relativamente piccolo, ma che può diventare particolarmente sentito, in particolare le correnti di sottosoglia sono responsabili di circa la metà della dissipazione di potenza nelle attuali realizzazioni [[VLSI]].

===Elementi base===

Dimensionando opportunamente i due MOS (simmetrici dal punto di vista funzionale) è possibile avere una curva caratteristica simmetrica, soluzione ottima per avere il [[margine di immunità ai disturbi]] (''Noise Margin'') il più elevato possibile. Il tratto di caratteristica ad alto guadagno è indipendente dal rapporto tra i fattori di forma dei due Mos (''ratioless'').

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Ogni funzione logica binaria può essere espressa in termini di questi due operatori.

===FSI e BSI<ref>[http://www.techup.it/news/arriva_un_nuovo_tipo_di_sensore_cmos-0550 Arriva un nuovo tipo di sensore CMOS]</ref>===

Originariamente i CMOS hanno una struttura del tipo FSI (front side illumination), dove lo strato di silicio (fotosensori) é posto in fondo, mentre con la disposizione BSI (backside illumination) dato che lo strato di silicio é posto sopra gli strati metallici (servono al fotodiodo per convertire i fotoni della luce in elettroni, quindi in segnali elettrici), il che permette una maggiore sensibilità alla luce e per via della disposizione anche una maggiore fedeltà al colore (minori contaminazioni dei pixel adiacenti) e possibilità di adoperare ottiche più compatte.

== Potenza dinamica dissipata da un CMOS ==