CMOS: differenze tra le versioni

Versione delle 09:22, 7 lug 2013

Versione delle 00:43, 13 lug 2013

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===FSI e BSI<ref>[http://www.techup.it/news/arriva_un_nuovo_tipo_di_sensore_cmos-0550 Arriva un nuovo tipo di sensore CMOS]</ref>===

Originariamente i CMOS hanno una struttura del tipo FSI (front side illumination), dove lo strato di silicio (fotosensori) éè posto in fondo, mentre con la disposizione BSI (backside illumination) dato che lo strato di silicio éè posto sopra gli strati metallici (servono al fotodiodo per convertire i fotoni della luce in elettroni, quindi in segnali elettrici), il che permette una maggiore sensibilità alla luce e per via della disposizione anche una maggiore fedeltà al colore (minori contaminazioni dei pixel adiacenti) e possibilità di adoperare ottiche più compatte.

== Potenza dinamica dissipata da un CMOS ==