Next Generation Memory: differenze tra le versioni

Versione delle 15:00, 9 ott 2014

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{{O|informatica|mese=ottobre 2014}}

Per "Next Generation Memory"<ref>{{cita web |cognome=Atwood |nome=Greg |titolo=Next-Generation Memory |url=http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=6583185 |accesso=20 Settemre 2014}}</ref> si intendono tutte le nuove tecnologie per la memorizzazione, che sono state introdotte o verranno introdotte nel panoramamondo informatico. La memoria, allo stato attuale, è uno dei componenti informatici più importanti nel panorama tecnologico odierno. Vediamo in questa pagina quali sono le nuove tecnologie e cosa significa introdurre nei dispositivi memorie di nuova concezione.

==Introduzione==

Le memorie utilizzate nei dispositivi attuali sfruttano le tecnologie emerse nei primi anni '70; stiamo parlando delle memorie a transistor (SRAM, DRAM e Flash) e delle memorie magnetiche (Hard Disk e memorie a nastro). Queste memorie, che sono in gran parte utilizzate ancora oggi, hanno avuto una vita lunghissima, e coerentemente con la legge di Moore, ogni 18 mesi raddoppiava il numero di transistor e si dimezzavano i costi.

La memoria è il componente fondamentale in molti ambiti: nei piccoli dispositivi, come smartphone e tablet, la memoria (se di buona qualità) è uno dei componenti più costosi, al pari del display e ben più alto del costo della CPU. Inoltre se pensiamo a grossi server, la memoria deve essere di ottima qualità e veloce, quindi di nuovo ricopre un ruolo fondamentale.

Nel panorama informatico attuale, con la necessità crescente di immagazzinare quantità di dati sempre maggiori e il continuo e costante aumento delle richieste da parte di un numero sempre maggiore di utenti, rende le memorie sempre più importanti e sempre più un collo di bottiglia, il che stimola le aziende produttrici di memorie a migliorare questo tipo di periferica. Un esempio tra tutti è il recente successo ottenuto dai dischi SSD, memoria di massa non più magnetica ma a transistor che incrementa di molto le prestazioni (per approfondimenti si veda la relativa voce [[Unità a stato solido]]).

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* [[Memoria a cambiamento di fase|PCM]] (Phase change memory)

Le==Persistent memorie persistenti.memory<ref>{{cita web |cognome=Badam |nome=Anirudh |titolo=How Persisten Memory Will Change Software Systems |url=http://ComputingNowwww.computer.org/csdl/mags/co/2013/08/mco2013080045-abs.html |accesso=20 Settemre 2014}}</ref>==

==Persistent memory==

Fino ad oggi le memorie centrali sono state caratterizzate da volatilità, velocità, possibilità di lavorare byte a byte; le memorie di massa invece sono caratterizzate da lentezza, non volatilità e possibilità di lavorare su blocchi.

Le memorie persistenti.<ref>{{cita web |cognome=Badam |nome=Anirudh |titolo=How Persisten Memory Will Change Software Systems |url=http://ComputingNow.computer.org |accesso=20 Settemre 2014}}</ref>

Le nuove tecnologie utilizzate per le memorie, come per esempio l'SSD, non funzionano come le odierne tecnologie (a transistor e magnetiche), e hanno diversi valori di performance, consumi, costi.