Next Generation Memory: differenze tra le versioni

Versione delle 23:52, 9 ott 2014

Versione delle 17:50, 13 ott 2014

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==Introduzione==

Le memorie utilizzate nei dispositivi attuali sfruttano le tecnologie emerse nei primi anni '70; stiamo parlando delle memorie a transistor (SRAM, DRAM e Flash) e delle memorie magnetiche (Hard Disk e memorie a nastro). Queste memorie, che sono in gran parte utilizzate ancora oggi, hanno avuto una vita lunghissima, e coerentemente con la legge di Moore, ogni 18 mesi raddoppiava il numero di transistor e si dimezzavano i costi.

La memoria è il componente fondamentale in molti ambiti: nei piccoli dispositivi, come smartphone e tablet, la memoria (se di buona qualità) è uno dei componenti più costosi, al pari del display e con un costo ben più alto deldi costoquello della CPU. Inoltre se pensiamo a grossi server, la memoria deve essere di ottima qualità e veloce, quindi di nuovo ricopre un ruolo fondamentale.

Nel panorama informatico attuale, con la necessità crescente di immagazzinare quantità di dati sempre maggiori e il continuo e costante aumento delle richieste da parte di un numero sempre maggiore di utenti, rende le memorie sempre più importanti e sempre più un collo di bottiglia, il che stimola le aziende produttrici di memorie a migliorare questo tipo di periferica. Un esempio tra tutti è il recente successo ottenuto dai dischi SSD, memoria di massa non più magnetica ma a transistor che incrementa di molto le prestazioni (per approfondimenti si veda la relativa voce [[Unità a stato solido]]).