Next Generation Memory: differenze tra le versioni
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====Analisi software====
I sistemi attuali sfruttano le [[Cache]], e ad ogni livello hanno una tipologia diversa di memoria, e per mantenere la consistenza dei dati è necessario programmare il file system per eseguire scritture anche in RAM e sul disco fisso. Avendo una '''"Persistent Memory"''', la quale unisce le caratteristiche vincenti di DRAM e Hard Disk magnetico, si potrebbe sostituire tutti i vari livelli esistenti, eliminando i tempi di interazione tra memorie (
===Miglioramenti dati dalle Persistent Memory===
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*Aumento della memoria fisica: al momento le memorie DRAM hanno il limite fisico di 32GB per la memoria installabile in una singola macchina, limite che non si avrebbe con le Persisten Memory;
*Persistenza dell'indirizzamento a byte: con le Persistent Memory, il flusso di dati può essere scritto direttamente senza le scritture a catena tipiche delle memorie standard (eseguite fino alle memorie non volatili per assicurare la persistenza dei dati;
*Durabilità con bassa latenza: con scritture e letture istantanee o molto veloci, si potrebbe velocizzare di molto il lavoro individuale; inoltre, potendo avere RAM non volatili, l'accensione e lo spegnimento di sistemi potrebbe essere istantanea (
== Note ==
{{references}}
== Collegamenti esterni ==
* [http://www.samsung.com "Samsung"]
* [http://www.micron.com/ "Micron Technology"]
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