Dispositivo multiporta: differenze tra le versioni

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[[File:Doublegate_FinFET.PNG|thumb|right| FinFET con doppia porta]]

Il termine FinFET fu coniato dalla Università della California da ricercatori di Berkeley per descrivere un transistor a doppia porta non planare su un substrato [[Silicio su isolante|SOI]]<ref>Huang, X. et al. (1999) "Sub 50-nm FinFET: PMOS" International Electron Devices Meeting Technical Digest, p. 67. December 5–8, 1999.</ref> , basato sul precedente transistor [[DELTA]] (a singola porta)<ref>Hisamoto, D. et al. (1991) "Impact of the vertical SOI 'Delta' Structure on Planar Device Technology" IEEE Trans. Electron. Dev. 41 p. 745.</ref>.

== Transistor a tre porte ==