Dothan (microprocessore): differenze tra le versioni

Versione delle 16:45, 20 dic 2015

Versione delle 09:41, 21 gen 2016

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=== Processo produttivo ===

[[File:Pentium M Dothan Backside.jpg|thumb|Pedinatura di un Pentium M 730 core Dothan]]

Su tutte le innovazioni spiccano l’aggiuntal'aggiunta di 1 [[megabyte|MB]] di [[CPU cache|Cache]] L2 (che porta il numero di [[transistor]] a 140 milioni) e il nuovo processo produttivo a [[90 nm]].

Pur implementando quasi il doppio dei transistor del predecessore, Dothan mantiene dimensioni paragonabili a quelle di Banias e continua ad utilizzare lo stesso [[Socket 479]].

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=== I vantaggi del nuovo processo produttivo ===

Il nuovo processo di produzione consentirà al gigante americano degli integrati di ottimizzare la resa di ogni [[wafer (elettronica)|wafer]], abbassando così i costi di produzione, e infatti, proprio in quest’otticaquest'ottica, Intel ha deciso di adottare nuovi wafer da 300 mm di diametro che andranno a sostituire i precedenti (che presentavano una superficie utile relativa pari a circa il 40% dei nuovi wafer).

Semplificando, la misura cui il processo produttivo fa riferimento ([[130 nm]], per la precedente generazione di integrati, 90 nm per la nuova), ci dà un’indicazioneun'indicazione della grandezza del gate di un transistor. È evidente, quindi, che diminuendo la dimensioni di ogni singolo transistor è possibile guadagnare prezioso spazio da riutilizzare per l’implementazionel'implementazione di nuove unità (o magari per l'allargamento di altre già presenti, come nel caso della cache). Il processo di riduzione delle dimensioni prende il nome di "''shrink''", dal momento che tale operazione interessa tutti i transistor che compongono il ''[[die (elettronica)|die]]'', gli ingegneri si riferiscono a questo tipo di interventi con il termine "die shrink". Come, però, Intel si è affrettata a precisare, Dothan non è soltanto un "die shrink" del precedente progetto Banias.

=== Evoluzione di Dothan ===