Diodo laser: differenze tra le versioni

Versione delle 16:33, 24 gen 2016

Versione delle 15:33, 14 apr 2016

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In condizioni appropriate, l'elettrone e la lacuna possono coesistere nella stessa area per un po' di tempo (nell'ordine dei microsecondi) prima che si ricombinino. Poi un fotone vicino con energia uguale all'energia di ricombinazione può provocarla per [[emissione stimolata]].

Ciò genera un altro fotone della stessa frequenza, che viaggia nella stessa direzione, con la stessa [[polarizzazione della radiazione elettromagnetica|polarizzazione]] e [[Fase (segnali)#Fase nella propagazione delle onde|fase]] del primo fotone. Ciò significa che l'emissione stimolata causa un guadagno in una onda ottica (di corretta [[lunghezza d'onda]]) nella regione di iniezione, ed il guadagno aumenta con l'aumentare del numero di elettroni e lacune iniettati attraverso la giunzione. I processi di emissione spontanea e stimolata sono molto più efficienti nei semiconduttori [[a bandgap diretta]] che in quelli [[bandgap indiretta]], perciò il [[silicio]] non è un materiale molto usato per i diodi laser.

Come in altri laser, la regione di guadagno è circondata da una [[cavità ottica]] che forma il laser.