Dothan (microprocessore): differenze tra le versioni

Versione delle 08:47, 7 ago 2016

Versione delle 02:29, 3 feb 2017

Riga 13:

=== I vantaggi del nuovo processo produttivo ===

Il nuovo processo di produzione consentirà al gigante americano degli integrati di ottimizzare la resa di ogni [[wafer (elettronica)|wafer]], abbassando così i costi di produzione, e infatti, proprio in quest'ottica, Intel ha deciso di adottare nuovi wafer da 300 mm di diametro che andranno a sostituire i precedenti (che presentavano una superficie utile relativa pari a circa il 40% dei nuovi wafer).

Semplificando, la misura cui il processo produttivo fa riferimento ([[130 nm]], per la precedente generazione di integrati, 90 nm per la nuova), ci dà un'indicazione della grandezza del gate di un transistor. È evidente, quindi, che diminuendo lale dimensioni di ogni singolo transistor è possibile guadagnare prezioso spazio da riutilizzare per l'implementazione di nuove unità (o magari per l'allargamento di altre già presenti, come nel caso della cache). Il processo di riduzione delle dimensioni prende il nome di "''shrink''", dal momento che tale operazione interessa tutti i transistor che compongono il ''[[die (elettronica)|die]]'', gli ingegneri si riferiscono a questo tipo di interventi con il termine "die shrink". Come, però, Intel si è affrettata a precisare, Dothan non è soltanto un "die shrink" del precedente progetto Banias.

=== Evoluzione di Dothan ===