Write amplification: differenze tra le versioni
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: <math>\frac{\text{informazioni scritte in memoria flash}}{\text{informazioni scritte dal sistema}} = \text{write amplification}</math>
== Fattori condizionanti il valore ==
Molti fattori condizionano la write amplification di un SSD. La tabella di seguito lista i valori primari e in che modo questi condizionino il fenomeno. Per quelli che sono variabili, la tabella annota se vi sia una [[Proporzionalità_(matematica)|proporzionalità]] ''diretta'' piuttosto che ''inversa''. Ad esempio, se il quantitativo di over-poisoning dovesse aumentare, allora la write amplification subirebbe una diminuzione (proporzionalità inversa). Se il valore è invece una funzione binaria (''attiva'' o ''disattiva'') allora sarà specificato anche se la relazione dovesse essere ''positiva'' piuttosto che ''negativa''.
{| class="wikitable sortable"
|+ Write amplification factors
|-
! Valore
! Descrizione
! Tipologia
! Relazione
|-
| [[Write amplification#Garbage collection|Garbage collection]]
| L'efficienza dell'algoritmo utilizzato per scegliere il miglior blocco successivo da cancellare e riscrivere
| style="background: lightblue;" | Variabile
| style="background: lightgreen;" | Inversa
|-
| [[Write amplification#Over-provisioning|Over-provisioning]]
| La percentuale della capacità fisica riservata al controller dell'SSD
| style="background: Lightblue;" | Variabile
| style="background: Lightgreen;" | Inversa
|-
| Comando [[TRIM]] per SATA o UNMAP per SCSI
| Questi comandi devono essere inviati dal sistema operativo che comunica al dispositivo di allocazione quali settori contengano dati non validi. Gli SSDs possono richiedere attraverso tali comandi le pagine che contengono questi settori come spazio libero quando i blocchi che contengono queste stesse pagine siano state cancellate, invece di copiare i dati non validi per pulire le pagine.
| style="background: Wheat;" | Binario
| style="background: Lightgreen;" | Positivo
|-
| [[Write amplification#Spazio utente libero|Spazio utente libero]]
| La percentuale della capacità attualmente libera da dati dell'utente; richiede TRIM, altrimenti il guadagno dell'SDD non avrebbe benefici da alcuna zona libera.
| style="background: Lightblue;" | Variabile
| style="background: Lightgreen;" | Inversa
|-
| [[Write amplification#Cancellazione sicura|Cancellazione sicura]]
| Cancella tutti i dati dell'utente e i relativi metadati che re-inizializzano l'SSD alle sue prestazioni di fabbrica (fino a quando la garbage collection riprende).
| style="background: Wheat;" | Binario
| style="background: Lightgreen;" | Positivo
|-
| [[Write amplification#Wear leveling|Wear leveling]]
| L'efficienza dell'algoritmo che assicura che su ogni blocco sia scritto un uguale numero di volte
| style="background: Lightblue;" | Variabile
| style="background: LightCoral;" | Diretta
|-
| [[Write amplification#Separazione tra dati statici e dinamici|Separazione tra dati statici e dinamici]]
| Raggruppamento dei dati basato su quanto spesso tenda a variare
| style="background: Wheat;" | Binario
| style="background: Lightgreen;" | Positivo
|-
| [[Write amplification#Scritture sequenziali|Scritture sequenziali]]
| In teoria le scritture sequenziali dovrebbero avere una write amplification di 1, ma altri fattori potrebbero ancora condizionare il valore.
| style="background: Wheat;" | Binario
| style="background: Lightgreen;" | Positivo
|-
| [[Write amplification#Scritture casuali|Scritture casuali]]
| Scrivere negli LBA non sequenziali avrà l'impatto maggiore sulla write amplification
| style="background: Wheat;" | Bianrio
| style="background: LightCoral;" | Negativo
|-
| [[Compressione dei dati]] che include la deduplicazione dei dati
| La write amplification si abbassa e la velocità dell'SSD aumenta quando la compressione dei dati e la deduplicazione eliminano dati ridondanti
| style="background: Lightblue;" | Variabile
| style="background: Lightgreen;" | Inversa
|-
| Utilizzo dell'MLC NAND in modalità SLC
| Scrive dati ad un rateo di un bit per cella invece del previsto numero di bit per cella (normalmente due bit per cella) per velocizzare le operazioni di lettura e scrittura. Quando ci si avvicina ai limiti di capienza del NAND in modalità SLC (''single-level cell''), l'SSD dovrà riscrivere le informazioni più vecchie (scritte in modalità SLC) in modalità MLC (''multi-level cell'') o TLC (''triple-level cell'') per consentire che lo spazio in modalità SLC NAND sia liberato al fine di accogliere in numero maggiore di informazioni. In ogni caso questo approccio può ridurre l'usura mantenendo le pagine che cambiano frequentemente in modalità SLC, per evitare di programmare questi cambiamenti in modalità MLC o TLC, poiché scrivere in MLC o TLC provocano un'usura maggiore che farlo in SLC. Quindi, questo approccio aumenta la write amplification ma potrebbe ridurre il deperimento quando le operazioni di scrittura hanno come obiettivo pagine sovrascritte frequentemente. <!-- da tradurre However, sequential- and random-write patterns will aggravate the damage because there are no or few frequently-written pages that could be contained in the SLC area, forcing old data to need to be constantly be rewritten to MLC or TLC from the SLC area.-->
| style="background: Wheat;" | Binario
| style="background: LightCoral;" | Negativo
|}
{| class="wikitable"
|+ *Definizione della relazione
|-
! Tipo
! Relazione modificata
! Descrizione
|-
| style="background: Lightblue;" rowspan="2" | Variabile
| style="background: LightCoral;" |Diretta
| style="background: LightCoral;" |All'aumentare del valore aumenta la WA
|-
| style="background: Lightgreen;" |Inversa
| style="background: Lightgreen;" |All'aumentare del valore, la WA diminuisce
|-
| style="background: wheat;" rowspan="2" | Binaria
| style="background: Lightgreen;" |Positiva
| style="background: Lightgreen;" |Quando il fattore è presente la WA diminuisce
|-
| style="background: LightCoral;" |Negativa
| style="background: LightCoral;" |Quando il fattore è presente la WA aumenta
|}
{{clear}}
== Note ==
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