Il nuovo processo di produzione consentiràconsentì al gigante americano degli integrati di ottimizzare la resa di ogni [[wafer (elettronica)|wafer]], abbassando così i costi di produzione, e infatti, proprio in quest'ottica, Intel ha decisodecise di adottare nuovi wafer da 300 mm di diametro che andrannoandarono a sostituire i precedenti (che presentavano una superficie utile relativa pari a circa il 40% dei nuovi wafer).
Semplificando, la misura cui il processo produttivo fafaceva riferimento, ([[130 nm]], per la precedente generazione di integrati, 90 nm per la nuova), ci dàdava un'indicazione della grandezza del gate di un transistor. ÈEra evidente, quindi, che diminuendo le dimensioni di ogni singolo transistor èfu possibile guadagnare prezioso spazio, da riutilizzare per l'implementazione di nuove unità (o magari per l'allargamento di altre già presenti, come nel caso della cache). Il processo di riduzione delle dimensioni prendeprese il nome di "''shrink''", dal momento che tale operazione interessainteressava tutti i transistor che compongonocomponevano il ''[[die (elettronica)|die]]'', gli ingegneri si riferiscono a questo tipo di interventi con il termine "die shrink". Come, però, Intel si è affrettataaffrettò a precisare, Dothan non èfu soltanto un "die shrink" del precedente progetto Banias.
