Modello ibrido del transistor: differenze tra le versioni
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[[Immagine:Modello ibrido BJT_EC.PNG|right|Modello ibrido del transistor a emettitore comune.]]
Possiamo applicare il modello ibrido al transistor a giunzione tripolare in configurazione a emettitore comune. Come si vede nella figura le tensioni e le correnti <math>v_{CE},v_{BE}, i_B, i_C</math> con pedice maiuscolo indicano i valori istantanei delle grandezze; i valori <math>V_{BB}, V_{CC}</math> sono i valori massimi o i valori medi delle grandezze, <math>v_c, i_b, h_{oe}, ...</math> sono invece sono i valori istantanei delle grandezze e sono usati nel modello ibrido con l'aggiunta del pedice ''e'' nei parametri ibridi per identificare la configurazione ad emettitore comune. Il circuito equivalente del modello ibrido del transistor ad emettitore comune è rappresentato nella figura successiva. In base a quanto detto in maniera generale sul modello ibrido possiamo esprimere le variabili dipendenti e indipendenti in maniera arbitraria, ma scegliamo (secondo convenzione) di usare:
:<math>\begin{cases}v_B = f_1 (i_B, v_C) = h_{ie} i_b + h_{re} v_c \\
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