CMOS: differenze tra le versioni
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===FSI e BSI===
Originariamente i CMOS hanno una struttura del tipo FSI (''front side illumination''), dove lo strato di silicio (fotosensori) è posto in fondo, mentre con la disposizione BSI (''backside illumination'') dato che lo strato di silicio è posto sopra gli strati metallici (servono al fotodiodo per convertire i fotoni della luce in elettroni, quindi in segnali elettrici), il che permette una maggiore sensibilità alla luce e per via della disposizione anche una maggiore fedeltà al colore (minori contaminazioni dei pixel adiacenti) e possibilità di adoperare ottiche più compatte.<ref>{{Collegamento interrotto|1=[http://www.techup.it/news/arriva_un_nuovo_tipo_di_sensore_cmos-0550 Arriva un nuovo tipo di sensore CMOS] |date=febbraio 2019 |bot=InternetArchiveBot }}</ref>
== Potenza dinamica dissipata ==
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