EEPROM: differenze tra le versioni

Versione delle 10:20, 21 giu 2019

Versione delle 09:07, 28 set 2019

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Il primo è un gate tradizionale, collegato elettricamente con il resto del gruppo. In questa tecnologia è denominato ''control gate''. Il secondo gate è sepolto nell'ossido e quindi isolato elettricamente. Esso è separato dal primo gate, così come dal canale del transistor, per mezzo di un sottilissimo strato di materiale isolante. Per questo motivo è detto ''floating gate''. In gergo, lo si definisce ''flottante''.

A differenza delle EPROM, nelle EEPROM vi è una regione, in prossimità del [[drain]], in cui lo spessore dello strato di ossido che separa il floating gate dal canale è ridotto al punto tale da permettere il passaggio di elettroni per [[effetto tunnel]] (Fowler-Nordheim).

Il [[transistor]] di memoria viene programmato attraverso il pilotaggio in tensione del control gate. La variazione del potenziale a cui questo si trova esposto determina, nella zona in cui il ridotto spessore dell'ossido isolante lo rende possibile, il manifestarsi dell'effetto tunnel e la conseguente attrazione di elettroni dal drain al gate sepolto.