Die (elettronica): differenze tra le versioni

Versione delle 17:10, 23 ago 2005

Versione delle 17:41, 23 ago 2005

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I wafer vengono quindi ricoperti da [[diossido di silicio]] SiO₂, che diventerà il conduttore del [[circuito integrato]]. Successivamente si deposita sul disco una sostanza fotosensibile detta "gelatina" (photoresist). Una maschera fotografica con il disegno del circuito viene sovrapposta al wafer ed è esposto a [[radiazione ultravioletta|luce ultravioletta]] (processo di [[fotoincisione]]). La maschera fa in modo che il circuito venga riportato sul silicio. La gelatina resa morbida dalla luce viene rimossa con un solvente e lascia così scoperto lo strato di diossido di silicio sottostante, che può essere così sottoposto al processo di [[drogaggio]]. Il mascheramento e la fotoincisione vengono ripetuti per ogni strato della circuiteria.

A questo punto ogni wafer contiene alcune migliaia di [[chip]] (dice) che vengono testati elettricamente a più riprese sotto diverse condizioni. I chip che non passano un test vengono marcati e scartati nella fase successiva. In passato se ne incideva la superficie con una punta di [[diamante]], creando delle linee di frattura preferenziali dette di [[clivaggio]]. Correntemente vengono utilizzate delle "seghe circolari" che effettuano tagli larghi circa 50 umμm mentre la tendenza futura e' quella di indurre dei difetti all'interno dello spessore del wafer utilizzando un raggio laser di frequenza opportuna.

La ''resa'' indica il rapporto percentuale tra dice funzionanti e il numero totale di chip presenti sul wafer. I dice vengono montati all'interno dei contenitori detti '''package''' (processo di ''packaging'') e collegati ai piedini del package (processo di ''bonding''). I piedini sono il tramite con cui il die può comunicare con la scheda su cui verrà montato.