Thin Film Transistor: differenze tra le versioni

Versione delle 20:32, 18 dic 2019

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== Caratteristiche ==

Il vantaggio più evidente sta nelle basse correnti di pilotaggio necessarie per la polarizzazione dei cristalli, nelle basse tensioni di polarizzazione necessarie per la commutazione del [[transistor]] e nei tempi di risposta necessari al fluido per cambiare di stato e quindi far transitare o meno la luce che lo attraversa. Tutto questo permette di realizzare agevolmente [[display]] con un alto numero di dot, [[pixel]], che altrimenti non sarebbe stato possibile fare.<br />

I cristalli liquidi non tendono più a tornare progressivamente allo stato di quiete prima dell'attivazione dell'impulso elettrico successivo, come accade nei monitor a matrice passiva, né devono conservare la propria posizione in assenza di voltaggio (tempo di risposta di circa 50ms o addirittura inferiore), perciò sono più veloci e l'occhio non percepisce sfarfallio o gli effetti di sbavature di luminosità e aloni causati dal ''cross talk''.

La tecnologia usata rispecchia molto da vicino quella ancora oggi utilizzata nella realizzazione delle memorie dinamiche ([[DRAM]]) con la differenza che le singole celle dei transistor vengono realizzate direttamente applicando un substrato conduttivo, opportunamente drogato, direttamente sui vetri del pannello, anziché lavorare su un classico ''die'' in [[silicio]].