CMOS: differenze tra le versioni

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{{F|componenti per computer|arg2=elettronica|marzo 2013|Nessuna fonte}}
[[File:CMOS Inverter.svg|thumb|Circuito semplificato dell'[[invertitore]] a tecnologia CMOS]]
Il '''CMOS''' ([[acronimo]] di ''complementary metal-oxide semiconductor'') è un tipo di tecnologia utilizzata in [[elettronica digitale]] per la progettazione di [[circuito integrato|circuiti integrati]], alla cui base sta l'uso dell'[[invertitore]] a [[transistor]] [[MOSFET]].
 
== Descrizione ==
Si tratta di una struttura circuitale costituita dalla serie di una rete di "Pull-Up" ed una di "Pull-Down": la prima s'incarica di replicare correttamente il livello logico alto '''LL1''' mentre alla seconda è destinata la gestione del livello logico basso '''LL0'''. Tale topologia circuitale fu inventata da Frank Wanlass nel 1967.
 
La rete di Pull-Up è costituita da [[MOSFET|MOSFET a canale P]], che si "accendono" solo se la tensione presente sul ''gate'' (misurata rispetto al ''source'') è minore della [[tensione di soglia]]. Inversamente la rete di Pull-Down è costituita da MOSFET a canale N che si accendono solo se la tensione presente sul ''gate'' (misurata rispetto al ''source'') è maggiore della tensione di soglia.
 
Per comprendere come sia strutturata la tecnologia CMOS può risultare utile osservare una porta logica NOT realizzata con tecnologia CMOS. Si può notare come, nell'eventualità che il segnale d'ingresso sia a LL1, sia il solo N-MOS ad attivarsi portando l'uscita a LL0. Inversamente, con l'ingresso a LL0, è il solo P-MOS ad attivarsi portando l'uscita a LL1. Particolarità di questa porta logica è di avere una dinamica logica d'uscita piena, cioè pari alla massima tensione applicata, Vcc; inoltre né la rete di pull-up né la rete di pull-down soffre di effetto body. La componentistica realizzata in questa tecnologia è caratterizzata da un consumo di corrente estremamente basso.
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{{Componenti elettronici}}
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[[Categoria:Terminologia dell'elettronica]]