Thin Film Transistor: differenze tra le versioni

Versione delle 16:22, 11 set 2007

Versione delle 20:00, 29 set 2007

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Mentre la tecnologia TFT generale fu sviluppata negli [[Stati Uniti d'America|Stati Uniti]] a partire dal [[1979]] presso l'università del [[Minnesota]] e portò negli anni successivi alla realizzazione di reti resistive e capacitive ad alta integrazione per la realizzazione di [[mainframe]], l'implementazione di questa tecnologia per la realizzazione di LCD a matrice attiva si deve a svariate industrie [[Giappone|Giapponesi]] ed è stata successivamente implementata ed elaborata anche da colossi dell'elettronica [[Taiwan|taiwanesi]], [[Corea del Sud|coreani]] ed ultimamente anche [[Cina|cinesi]].

[[Categoria:Tecnologie per l'elettronica]]