Diodo laser: differenze tra le versioni

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<!-- [[File:Simple vcsel.svg|thumb|350px|Schema di una struttura VCSEL semplice.]] -->
 
I laser a emissione superficiale a cavità verticale (o Vertical cavity surface emitting lasers [[VCSEL]]) possiedono l'asse della cavità ottica lungo la direzione del flusso corrente invece che perpendicolarmente al flusso corrente come nei diodi laser convenzionali. La lunghezza della regione attiva è molto breve se comparata con le dimensioni laterali, di modo che la radiazione emerge dalla ‘‘superficie'’‘‘superficie’’ della cavità piuttosto che dai bordi, come mostrato in Fig.&nbsp;2. I riflettori ai lati della cavità sono [[specchi dielettrici]] costruiti alternando strati con indici di rifrazione alto e basso di film spesso multistrato in quarto d'onda.
<!-- Such dielectric mirrors provide a high degree of wavelength-selective reflectance at the required free surface wavelength λ if the thicknesses of alternating layers ''d''<sub>1</sub> and ''d''<sub>2</sub> with refractive indices ''n''<sub>1</sub> and ''n''<sub>2</sub> are such that ''n''<sub>1</sub>''d''<sub>1</sub> + ''n''<sub>2</sub>''d''<sub>2</sub> = ½λ which then leads to the constructive interference of all partially reflected waves at the interfaces. Because of the high mirror reflectivities, VCSELs have lower output powers when compared to edge emitting lasers.-->