Modello ibrido del transistor: differenze tra le versioni

Versione delle 16:39, 2 nov 2007

Versione delle 16:53, 2 nov 2007

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Per un [[transistor a giunzione bipolare]] si può usare il modello a parametri ibridi qualora sia necessario l'uso a basse frequenze.

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</math>

cioè come variabili indipendenti vengono scelti <math>i_1, v_2</math>, ma possono scegliersi altre variabili. I parametri ''h'' sono appunto detti parametri ibridi perché mettono in relazione grandezze diverse e quindi alcuni di essi sono adimensionali. Vediamone il significato:

:<math>h_{11} = \frac{v_1}{i_1} \right|_{v_2=0}</math>

prende il nome di '''resistenza d'ingresso''' quando l'uscita è in [[corto circuito]] e quindi si misura in [[Ohm]];

:<math>h_{12} = \frac{v_1}{v_2} \right|_{i_1=0}</math>

è il rapporto tra le tensioni d'ingresso e d'uscita ad ingresso [[Circuito aperto|aperto]] ed è detto amplificazione inversa a vuoto ed è adimensionale;

:<math>h_{21} = \frac{i_2}{i_1} \right|_{v_2=0}</math>

è il rapporto tra le correnti di uscita e di ingresso quando l'uscita è in corto circuito ed è detto amplificazione di corrente ed è anch'esso adimensionale;

:<math>h_{22} = \frac{i_2}{v_2} \right|_{i_1=0}</math>

è la [[conduttanza]] di uscita con ingresso a vuoto e quindi si misura in [[Siemens]].

== Modello ibrido del transistor a giunzione ==

Possiamo applicare il modello ibrido al transistor a giunzione. Il circuito equivalente del transistor ad emettitore comune è rappresentato in figura.