Modello ibrido del transistor: differenze tra le versioni
Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
Nessun oggetto della modifica |
mNessun oggetto della modifica |
||
Riga 11:
cioè come variabili indipendenti vengono scelti <math>i_1, v_2</math>, ma possono scegliersi altre variabili. I parametri ''h'' sono appunto detti parametri ibridi perché mettono in relazione grandezze diverse e quindi alcuni di essi sono adimensionali. Vediamone il significato:
:<math>h_{11} = \left. \frac{v_1}{i_1} \right|_{v_2=0}</math>
prende il nome di '''resistenza d'ingresso''' quando l'uscita è in [[corto circuito]] e quindi si misura in [[Ohm]];
:<math>h_{12} = \left. \frac{v_1}{v_2} \right|_{i_1=0}</math>
è il rapporto tra le tensioni d'ingresso e d'uscita ad ingresso [[Circuito aperto|aperto]] ed è detto amplificazione inversa a vuoto ed è adimensionale;
:<math>h_{21} = \left. \frac{i_2}{i_1} \right|_{v_2=0}</math>
è il rapporto tra le correnti di uscita e di ingresso quando l'uscita è in corto circuito ed è detto amplificazione di corrente ed è anch'esso adimensionale;
:<math>h_{22} = \left. \frac{i_2}{v_2} \right|_{i_1=0}</math>
è la [[conduttanza]] di uscita con ingresso a vuoto e quindi si misura in [[Siemens]].
Riga 33:
== Voci correlate ==
* [[Transistor a giunzione bipolare]]
* [[Transistor]]
| |||