Modello ibrido del transistor: differenze tra le versioni
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Vediamo a cosa equivalgono i parametri ibridi:
*Amplificazione di corrente
:<math>A_I = - \frac{h_{fe}}{1 + h_{oe} R_L}</math>
è l'amplificazione di corrente. Tenendo conto della resistenza del generatore <math>R_s</math>:
:<math>A_{I_s} = A_I \frac{R_s}{Z_i + R_s}</math>
*Resistenza di ingresso
:<math>R_i = h_{ie} + h_{re} A_I R_L</math>
*Amplificazione di tensione
:<math>A_V = A_I \frac{R_L}{R_i} = - \frac{h_{fe} R_L}{h_{ie}}</math>
*Conduttanza di uscita
Per la definizione della resistenza di uscita (tramite la conduttanza) poniamo <math>V_s =0</math> e <math>R_L = \infty</math>:
:<math>G_{oe} = h_{oe} - \frac{h_{fe} h_{re}}{h_{ie} + R_s}</math>
cioè <math>R_{oe} = 1 / G_o</math> è una funzione della resistenza del generatore.
=== Modello ibrido semplificato per il transistor a emettitore comune ===
In generale possiamo semplificare il modello ibrido tenendo conto solo di due parametri ibridi: <math>h_{ie}, h_{fe}</math>. La condizione sotto la quale si può usare il modello ibrido semplificato è che per i circuiti a bassa frequenza la resistenza di carico sia abbastanza piccola da soddisfare la:
:<math>h_{oe} R_L < 0.1</math>
Se vale questa condizione allora: l'amplificazione di corrente diventa
:<math>A_I = - \frac{h_{fe}}{1 + h_{oe} R_L} \simeq -h_{fe}</math>
La resistenza d'ingresso diventa:
:<math>R_i = h_{ie} + h_{re} A_I R_L \simeq h_{ie}</math>
L'amplificazione di tensione resta inalterata nella forma:
:<math>A_V = - \frac{h_{fe} R_L}{h_{ie}}</math>
mentre l'impedenza di uscita si può porre infinita perché <math>h_{oe}</math> è abbastanza grande.
== Modello ibrido del transistor a collettore comune ==
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