Modello ibrido del transistor: differenze tra le versioni

Versione delle 01:41, 3 nov 2007

Versione delle 20:23, 3 nov 2007

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\end{cases}

</math>

Nella figura non è mostrato il generatore e le resistenze di ingresso e di uscita, ma per questo ci si rifà semplicemente al modello generale, in pratica basta aggiungere all'ingresso un generatore di tensione <math>v_s</math> con la sua resistenza (o in generale un'impedenza) <math>R_s</math> e all'uscita una resistenza (o un'impedenza) di carico <math>R_L</math>.

Vediamo a cosa equivalgono i parametri ibridi:

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Per la definizione della resistenza di uscita (tramite la conduttanza) poniamo <math>V_s =0</math> e <math>R_L = \infty</math>:

:<math>G_{oeo} = h_{oe} - \frac{h_{fe} h_{re}}{h_{ie} + R_s}</math>

cioè <math>R_{oeo} = 1 / G_o</math> è una funzione della resistenza del generatore.

=== Modello ibrido semplificato per il transistor a emettitore comune ===