Modello ibrido del transistor: differenze tra le versioni
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=== Modello ibrido semplificato per il transistor a emettitore comune ===
[[Immagine:Modello ibrido semplificato BJT EC.PNG|right|Modello ibrido semplificato di un transistor a giunzione a emettitore comune.]]
In generale possiamo semplificare il modello ibrido tenendo conto solo di due parametri ibridi: <math>h_{ie}, h_{fe}</math>. La condizione sotto la quale si può usare il modello ibrido semplificato è che per i circuiti a bassa frequenza la resistenza di carico sia abbastanza piccola da soddisfare la:
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:<math>A_V = - \frac{h_{fe} R_L}{h_{ie}}</math>
mentre l'impedenza di uscita si può porre infinita perché <math>h_{oe}</math> è abbastanza grande (<math>\sim 10^4 - 10^5 \Omega</math>).
== Modello ibrido del transistor a collettore comune ==
[[Immagine:Modello ibrido BJT_CC.PNG|right|Modello ibrido del transistor a collettore comune.]]
[[Immagine:Modello ibrido semplificato BJT CC.PNG|right|Modello ibrido semplificato di un transistor a giunzione a collettore comune.]]
Poiché il transistor a collettore comune ha pochi utilizzzi, scriviamo solo i pametri per il modello ibrido tenendo conto solo di due parametri: <math>h_{ic}, h_{fc}</math>. La condizione sotto la quale si può usare il modello ibrido semplificato è sempre la stessa:
:<math>h_{oe} R_L < 0.1</math>
Se vale questa condizione allora: l'amplificazione di corrente diventa
:<math>A_I = -\frac{I_e}{I_b} = 1 + h_{fe}</math>
La resistenza d'ingresso diventa:
:<math>R_i = \frac{V_b}{I_b} = h_{ie} + (1 + h_{fe}) R_L</math>
L'amplificazione di tensione:
:<math>A_V = 1 + \frac{h_{ie}}{R_i}</math>
mentre la resistenza di uscita:
:<math>R_o = \frac{h_{ie} + R_s}{1 + h_{fe}}</math>
== Tabella di conversione ==
== Voci correlate ==
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