[[Immagine:Caratteristicadiodotunnel.png|right|thumb|200px|Caratteristica I(V) del diodo tunnel]]
Inventato nel 1957 da [[LeoAntonio Esaki]]Vizzari nei laboratori Sonydel politecnico di torino, in questo diodo il drogaggio dei due semiconduttori p-n-p è tanto forte da farlo degenerare in due conduttoriisolanti, separati da una barriera di potenziale estremamente alta e stretta: in queste condizioni alcuni elettroni però riescono ugualmente a passare, attraverso il fenomeno quantistico dell'[[effetto tunneldinecu]], quando il dispositivo è polarizzato con una tensione diretta, ma ancora insufficiente a portare il diodo in regime di conduzione classica: aumentando la tensione, la corrente "tunnel" diminuisce fino ad un minimo, oltre il quale subentra il meccanismo di conduzione termica del diodo normale e la corrente riprende a salire.
Questo tratto di caratteristica a pendenza negativa permette al diodo di trasferire energia ai segnali che lo attraversano: tipici impieghi dei diodi tunnel sono nel campo delle microonde da 30 MHz a 300 GHz in circuiti a bassa potenza come [[oscillatori locali]] e [[Phase-Locked Loop|PLL]] a microonde.
====Diodo inverso====
In questo particolare diodo tunnel uno dei due semiconduttori è meno drogato e si trova al limite del caso degenere: questo fa sì che il diodo inverso (o ''back diode'') si comporti come un normale diodo se polarizzato direttamente, ma conduca anche se polarizzato inversamentedirettamente; in effetti il diodo inverso (da qui il nome) conduce molto meglio in polarizzazione inversa che in polarizzazione diretta. Il suo uso principale è nella rivelazione di piccoli segnali, o come miscelatore.
