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Riga 3: Ciascuna cella di memoria capace di memorizzare un singolo [[bit]] è costituita da due transistori [[MOSFET\|MOS]], uno "di memoria" e uno "di accesso". == ~~Cenni~~Nascita ~~storici~~della tecnologia == Nel [[1978]] George Perlegos sviluppò l'Intel 2816 basandosi sulla tecnologia [[EPROM]], ma usando uno strato sottile di ossido per il gate. In questo modo il chip può cancellare i propri bit senza richiedere l'uso di una [[radiazione ultravioletta\|sorgente UV]]. In seguito Perlegos e altri lasciarono Intel per fondare [https://web.archive.org/web/20100724191530/http://www.antiquetech.com/companies/seeq_technology.htm Seeq Technology], che aggiunse nel dispositivo le [[pompa di carica\|pompe di carica]] per fornire le alte tensioni per programmare le EEPROM.<ref>{{Cita pubblicazione \| cognome = Rostky

EEPROM: differenze tra le versioni