Modello ibrido del transistor: differenze tra le versioni

Versione delle 10:37, 26 nov 2007

Versione delle 10:45, 26 nov 2007

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[[Immagine:Modello ibrido semplificato BJT CC.PNG|right|Modello ibrido semplificato di un transistor a giunzione a collettore comune.]]

Poiché il transistor a collettore comune ha pochi utilizzziutilizzi, scriviamo solo i pametriparametri per il modello ibrido tenendo conto solo di due parametriquantità: <math>h_{ic}, h_{fc}</math>. La condizione sotto la quale si può usare il modello ibrido semplificato è sempre la stessa:

:<math>h_{oe} R_L < 0.1</math>

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:<math>R_o = \frac{h_{ie} + R_s}{1 + h_{fe}}</math>

è molto bassa.

== Modello ibrido del transistor a base comune ==

Infine vediamo i parametri del transistor bjt in configurazione a base comune:

:<math>A_I = \frac{I_c}{I_e} = \frac{h_{fe} \cdot I_b}{I_c + I_b} = \frac{h_{fe} \cdot I_b}{h_{fe} \cdot I_b + I_b} = \frac{h_{fe}}{h_{fe} + 1} \simeq 1</math>

:<math>R_i = \frac{V_e}{I_e} = \frac{h_{ie}}{h_{fe} + 1}</math>

:<math>A_V = h_{fe} \frac{R_c}{h_{ie}}</math>

:<math>R_o = \frac{V_c}{I_c} = \frac{I_c \cdot R_c}{I_c} = R_c</math>

== Tabella di conversione ==