MOSFET: differenze tra le versioni

Versione delle 22:16, 2 feb 2022

Versione delle 09:18, 29 mar 2022

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</ref>: gli [[elettrone|elettroni]] nel substrato, detti ''portatori maggioritari di carica'', vengono attratti dal ''gate'': si forma un ''canale'' conduttore tra source e drain nel quale il silicio si comporta come se fosse drogato ''n'' come i terminali ''source'' e ''drain'', consentendo inizialmente il passaggio della corrente tra source e drain<ref>{{Cita|Spirito|Pag. 56|Spirito}}.</ref>.

All'aumentare della tensione <math>V_{DS}</math> tra drain e source, la differenza di potenziale <math>V_{GD} = V_{GS} - V_{DS}</math> fra il gate e la regione del canale vicina al ''drain'' diminuisce, ed il canale viene progressivamente strozzato in prossimità di esso. Tale fenomeno è detto ''[[effetto di modulazione della lunghezza di canale|pinch-off]]'', simile all'[[effetto Early]] nel [[Transistor a giunzione bipolare|transistore bipolare]]. La strozzatura si verifica nel punto di ascissa <math>L'</math>, pari alla lunghezza del canale, in cui il potenziale è pari a <math>V_{GS} - V_{th}</math>.<ref name=seiuno>{{Cita|Spirito|Pag. 61|Spirito}}.</ref> La carica di inversione, dunque, diminuisce all'avvicinarsi al terminale di ''drain'', e questo implica che una volta raggiunto il completo strozzamento il valore della corrente <math>I_{D}</math> che percorre il canale non dipende dalla variazione di <math>V_{DS}</math>, dal momento che la tensione ai capi del canale ohmico rimane costante.

Le cariche attraversano quindi la regione svuotata <math>(L - L')W</math> (<math>W</math> è la larghezza della regione, quindi <math>(L - L')W</math> è praticamente la superficie sotto l'ossido) sostenute dal campo elettrico, sicché la corrente dipende solamente e '''quadraticamente''' dalla tensione <math>V_{GS}</math>, ed il MOSFET funziona come un [[amplificatore (elettronica)|transresistore]]<ref name=seiuno/><ref>{{Cita|Spirito|Pag. 62|Spirito}}.</ref>: