Modello ibrido del transistor: differenze tra le versioni

Versione delle 14:29, 12 dic 2007

Versione delle 22:33, 18 dic 2007

Riga 37:

=== Transistor come amplificatore ===

*'''Amplificazione di corrente'''

:<math>A_I = \frac{I_L}{I_1} = - \frac{I_2}{I_1}</math>

Riga 51:

quindi in definitiva:

: <math>A_I = - \frac{h_f}{1 + h_o Z_L}</math>

è l'amplificazione di corrente. Tenendo conto della resistenza del generatore <math>R_s</math>:

: <math>A_{I_s} = A_I \frac{I_1}{I_s} = A_I \frac{R_s}{Z_i + R_s}</math>

*'''Impedenza di ingresso'''

:<math>Z_i = \frac{V_1}{I_1} = \frac{h_i I_1 + h_r V_2}{I_1}</math>

Riga 67:

quindi in definitiva:

: <math>Z_i = h_i + h_r A_I Z_L = h_i - \frac{h_f h_r}{Y_L + h_o}</math>

dove <math>Y_L = 1 / Z_L</math> è l'[[ammettenza]] di carico, dalla quale dipende l'impedenza di uscita.

*'''Amplificazione di tensione'''

: <math>A_V = \frac{V_2}{V_1} = \frac{A_I I_1 Z_L}{V_1} = \frac{A_I Z_L}{Z_i}</math>

cioè l'amplificazione di tensione dipende dall'impedenza di ingresso e da quella di uscita. Tenendo conto della resistenza del generatore abbiamo:

: <math>A_{V_s} = A_V \frac{V_1}{V_s} = A_V \frac{Z_L}{Z_i + R_s}</math>

*'''Ammettenza di uscita'''

Per la definizione dell'impedenza di uscita bisogna porre a zero la <math>V_s</math> e <math>Z_L = \infty</math>:

Riga 91:

quindi in definitiva:

: <math>Y_o = h_o - \frac{h_f h_r}{h_i + R_s}</math>

cioè <math>Z_o = 1 / Y_o</math> è una funzione della resistenza del generatore.

Riga 109:

Vediamo a cosa equivalgono i parametri ibridi:

*'''Amplificazione di corrente'''

:<math>A_I = - \frac{h_{fe}}{1 + h_{oe} R_L}</math>

Riga 117:

:<math>A_{I_s} = A_I \frac{R_s}{Z_i + R_s}</math>

*'''Resistenza di ingresso'''

:<math>R_i = h_{ie} + h_{re} A_I R_L</math>

*'''Amplificazione di tensione'''

:<math>A_V = A_I \frac{R_L}{R_i} = - \frac{h_{fe} R_L}{h_{ie}}</math>

*'''Conduttanza di uscita'''

Per la definizione della resistenza di uscita (tramite la conduttanza) poniamo <math>V_s =0</math> e <math>R_L = \infty</math>:

Riga 138:

In generale possiamo semplificare il modello ibrido tenendo conto solo di due parametri ibridi: <math>h_{ie}, h_{fe}</math>. La condizione sotto la quale si può usare il modello ibrido semplificato è che per i circuiti a bassa frequenza la resistenza di carico sia abbastanza piccola da soddisfare la:

: <math>h_{oe} R_L < 0.1</math>

Se vale questa condizione allora: l''''amplificazione di corrente''' diventa

:<math>A_I = - \frac{h_{fe}}{1 + h_{oe} R_L} \simeq -h_{fe}</math>

La '''resistenza d'ingresso''' diventa:

:<math>R_i = h_{ie} + h_{re} A_I R_L \simeq h_{ie}</math>

L''''amplificazione di tensione''' resta inalterata nella forma:

:<math>A_V = - \frac{h_{fe} R_L}{h_{ie}}</math>

mentre l''''impedenza di uscita''' si può porre infinita perché <math>h_{oe}</math> è abbastanza grande (<math>\sim 10^4 - 10^5 \Omega</math>).

== Modello ibrido del transistor a collettore comune ==

Riga 164:

:<math>h_{oe} R_L < 0.1</math>

Se vale questa condizione allora: l''''amplificazione di corrente''' diventa

:<math>A_I = -\frac{I_e}{I_b} = 1 + h_{fe}</math>

La '''resistenza d'ingresso''' diventa:

:<math>R_i = \frac{V_b}{I_b} = h_{ie} + (1 + h_{fe}) R_L</math>

L''''amplificazione di tensione''':

:<math>A_V = \frac{V_e}{V_b} = 1 + \frac{h_{ie}}{R_i} \simeq 1</math>

mentre la '''resistenza di uscita''':

:<math>R_o = \frac{h_{ie} + R_s}{1 + h_{fe}}</math>

Riga 199:

* [[Transistor a giunzione bipolare]]

* [[Transistor]]

* [[Polarizzazione del transistor]]