Memoria NAND flash: differenze tra le versioni

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=== Architettura di una memoria NAND flash ===

[[File:NAND scheme.png|miniatura|426x426px|Schema di un blocco di memoria NAND flash. I riquadri evidenziano le strutture costitutive di base, tra cui la singola cella, la stringa e la ''wordline''.]]

L'architettura di un array di memoria NAND flash è facilmente partizionabile considerando i collegamenti elettrici delle singole unità di memorizzazione. Alla base dell'array vi è la singola unità di memoria, fisicamente descritta da un transistore a floating-gate. La connessione in serie dei canali dei transistori ''floating-gate'' definisce una stringa di memoria. La connessione in parallelo dei contatti di gate dei transistori definisce invece un piano di memoria, spesso chiamato ''wordline''. L'insieme di un gruppo di stringhe connesse in parallelo alla stessa ''sourceline'' definisce un blocco di memoria. Si noti che, oltre alle singole unità di memorizzazione, l'array NAND flash necessità di ulteriori componenti. Nella fattispecie, ogni stringa di memoria si caratterizza per la presenza di due transistori di selezione all'inizio ed alla fine della stringa stessa, spesso definiti SSL (''Selector Souce Line'') e SDL (''Selector Drain Line''). Questi, tipicamente realizzati con una geometria meno scalata rispetto alle singole celle di memoria, hanno il compito di connettere o sconnettere la stringa dalle linee di ''bitline'' e di ''sourceline,'' di modo da permettere selettività nelle operazioni svolte. Mentre i selettori di ''drain'' sono indirizzabili singolarmente, i selettori di ''source'' hanno le ''gate'' connesse in parallelo all'interno di tutto il blocco.<ref>{{Cita web|url=https://www.cactus-tech.com/resources/blog/details/solid-state-drive-primer-3-nand-architecture-strings-and-arrays/|titolo=Solid State Drive Primer # 3 - NAND Architecture - Strings and Arrays|autore=Steve Larrivee|sito=Cactus Technologies|data=2015-03-16|lingua=en-US|accesso=2023-07-06}}</ref>

Una singola pagina di memoria è generalmente in grado di memorizzare dagli 8kB ai 16kB di informazione. Una stringa connette invece in serie un numero di celle di memoria variabile tra le 256 e le 1024. Nel complesso un blocco di memoria è in grado di mantenere da 2MB a 16MB di informazione memorizzata.<ref>{{Cita pubblicazione|nome=Luo,|cognome=Yixin|data=2018-08-12|titolo=Architectural Techniques for Improving NAND Flash Memory Reliability|rivista=arXiv.org|p=14|lingua=en|accesso=2023-07-05|url=https://arxiv.org/abs/1808.04016}}</ref>