Memoria NAND flash: differenze tra le versioni
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Un dispositivo commerciale è costituito da un gran numero di blocchi, molti dei quali contribuiscono a raggiungere il taglio di memoria nominale del dispositivo ed alcuni adibiti a fare da scorta in caso di malfunzionamento dei blocchi inizialmente assegnati alla funzione di ''storage''.<ref>{{Cita web|url=https://www.swissbit.com/en/blog/post/Explained-Bad-Block-Management/|titolo=Bad Block Management in NAND flash: This is how it works! - Swissbit|sito=www.swissbit.com|data=2021-07-19|lingua=en|accesso=2023-07-06}}</ref>
Oltre alla componentistica legata in maniera specifica alla funzione di memorizzazione, un dispositivo NAND flash presenta al suo interno altri componenti ausiliari al funzionamento dello stesso. Tra questi vi sono un [[microcontrollore]] per la gestione delle operazioni, dei [[Decoder (elettronica)|decoder]] di riga e colonna necessari all'indirizzamento delle operazioni, la circuiteria ausiliaria alla lettura e la circuiteria necessaria a produrre le alte tensioni necessarie alle operazioni di programmazione e cancellazione.<ref name=":4">{{Cita libro|autore=R. Micheloni|autore2=G. Campardo|autore3=P. Olivo|titolo=Memories in Wireless Systems|url=http://link.springer.com/10.1007/978-3-540-79078-5|accesso=2023-07-06|collana=Signals and Communication Technology|data=2008|editore=Springer Berlin Heidelberg|lingua=en|capitolo=2|ISBN=978-3-540-79077-8|DOI=10.1007/978-3-540-79078-5}}</ref>
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