Memoria NAND flash: differenze tra le versioni
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I processi stocastici legati ai fenomeni di iniezione sono ampiamente studiati, in virtù di una fenomenologia abbastanza comune in vari ambiti della fisica (si pensi ad esempio alla rilevazione di fotoni attraverso foto-rivelatori<ref>{{Cita web|url=https://physicsopenlab.org/2019/01/07/photon-counting-statistics/|titolo=Photon Counting & Statistics|sito=PhysicsOpenLab|lingua=en-US|accesso=2023-07-05}}</ref> o ai processi di iniezione di carica legati al [[rumore shot]]<ref>{{Cita web|url=https://physicsopenlab.org/2016/10/10/shot-noise-and-electron-charge/|titolo=Shot Noise and Electron Charge|sito=PhysicsOpenLab|lingua=en-US|accesso=2023-07-05}}</ref>). Ciò che si osserva è che se le particelle possono essere iniettate solo per processi discreti (ovvero non è possibile iniettare una frazione di particella) e se vale l'ipotesi che ogni evento di iniezione è indipendente dai precedenti (non vi è cioè correlazione tra gli eventi), il processo stocastico segue la statistica di [[Distribuzione di Poisson|Poisson]]. Per le proprietà della appena citata statistica, la varianza associata alle fluttuazioni sarà proporzionale al valor medio del processo. Questo pone dei vincoli alla precisione con cui la soglia delle celle di memoria può essere programmata: adottando nell'algoritmo di ISPP un <math>\Delta V_{pgm}</math> alto il numero di elettroni iniettato per passo di programmazione sarà alto e caratterizzato da forti fluttuazioni. Al contrario, riducendo il passo di programmazione anche le fluttuazioni statistiche tenderanno a diminuire. Questo fatto va considerato nel momento in cui vengono decise le caratteristiche dell'algoritmo di programmazione da adottare sul dispositivo di memoria: un passo di programmazione ampio garantisce velocità di programmazione alta ma distribuzioni di soglia intrinsecamente larghe e ancor più allargate dalle fluttuazioni dovute al ''program noise'' mentre un passo di programmazione piccolo permette una programmazione più precisa al costo di un rallentamento della stessa operazione.<ref name=":5" />
Va precisato però che il processo di iniezione per ''tunneling'' Fowler-Nordheim non rispetta completamente le ipotesi entro cui viene solitamente trattato il rumore di iniezione. Successivi eventi di iniezione mostrano, infatti, una correlazione: il processo di iniezione <math>i-</math>esimo vede una probabilità di ''tunneling'' ridotta a causa della riduzione di campo elettrico indotta dai precedenti <math>i-1</math> eventi di iniezione. Questa correlazione, osservabile nel momento in cui il numero di elettroni iniettati risulta sufficientemente grande, fa sì che il processo di programmazione sia affetto da fluttuazioni che seguono una statistica sub-Poissoniana<ref>{{Cita pubblicazione|nome=Christian|cognome=Monzio Compagnoni|nome2=Riccardo|cognome2=Gusmeroli|nome3=Alessandro S.|cognome3=Spinelli|data=2008-11|titolo=Analytical Model for the Electron-Injection Statistics During Programming of Nanoscale nand Flash Memories|rivista=IEEE Transactions on Electron Devices|volume=55|numero=11|pp=3192–3199|lingua=inglese|accesso=2023-07-05|doi=10.1109/TED.2008.2003332|url=http://ieeexplore.ieee.org/document/4668548/}}</ref>.
[[File:NAND RTN.png|sinistra|miniatura|342x342px|Schema del processo legato al rumore telegrafico causale in un transistore a ''floating-gate.'' In a) viene mostrato il profilo della banda di conduzione, sottolineando la presenza di una trappola interfacciale mentre b) mostra il tipico andamento della corrente in presenza di RTN.]]
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