Memoria NAND flash: differenze tra le versioni
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La memoria NAND flash è stata il primo dispositivo elettronico al mondo a superare il trend di ''scaling'' planare previsto dalla [[legge di Moore]], introducendo il concetto di elettronica verticale (o elettronica 3D)<ref>{{Cita web|url=https://electronics360.globalspec.com/article/18517/the-rise-of-3d-nand-flash-memory|titolo=The rise of 3D NAND flash memory|autore=Jody Dascalu|lingua=en|accesso=6 luglio 2023}}</ref>.
== Storia ==
Al principio dell'invenzione delle memorie flash, ed in particolare delle NAND flash, vi è l'idea del [[Transistor|transistore]] a ''[[Floating Gate MOSFET|floating-gate]]''. Questo dispositivo, progettato all'interno dei [[Bell Labs]] nel 1967 da [[Dawon Kahng]] e [[Simon Sze|Simon Min Sze]], dimostrò da subito le sue potenzialità nell'ambito applicativo delle memorie elettroniche. Fu però all'inizio degli anni ottanta, nei laboratori di [[Toshiba]] (ora [[Kioxia]]), che Fujio Masuoka e Hisakazu Iizuka<ref name=":1" /> gettarono le basi per lo sviluppo di un dispositivo di memorizzazione non volatile capace di supportare le operazioni di programmazione e cancellazione controllate interamente con segnali elettrici. Nel 1984 la prima memoria NOR flash fu commercializzata, mentre si dovette aspettare fino al 1987 per vedere il lancio sul mercato del primo prodotto NAND flash. In quegli anni il tipico taglio di memoria non volatile spaziava da 4 a 16
Negli anni successivi le memorie NAND flash vissero uno sviluppo estremamente veloce: alla fine del millennio la capacità di memorizzazione di questi dispositivi a stato solido aveva raggiunto uno standard di 256Mbit, i dispositivi erano stati resi compatibili con la nuova logica a 3.3V (rispetto a quella a 5V inizialmente presente) e nuovi processi produttivi erano stati sviluppati per porre le basi della futura evoluzione tecnologica.<ref name=":3" />
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