Memoria NAND flash: differenze tra le versioni

Versione delle 16:03, 7 lug 2023

Versione delle 16:17, 7 lug 2023

Riga 67:

== Scaling ==

{{Doppia immagine|destra|NAND Fscaling 01.png|360|NAND Fscaling 02.png|395|a) trend di scaling della minima dimensione litografica di processo. b) trend di scaling del parametro GBSD.}}

Questa sezione si occupa di illustrare il trend di miniaturizzazione che i dispositivi NAND flash hanno seguito negli anni, a partire dal loro ingresso nel mercato di massa ad inizio anni 2000 fino ad oggi. Per poter discutere la miniaturizzazione di questo tipo di dispositivi è utile introdurre due figure di merito tipicamente impiegate nell'ambito dei dispositivi elettronici e, nello specifico, delle memorie elettroniche. Queste sono la dimensione minima del processo produttivo <math>F</math>, che corrisponde alla minima dimensione lineare che è possibile realizzare attraverso i processi di pattern [[Litografia (elettronica)|litografici]] a disposizione del produttore, e il cosiddetto GBSD (''Gross Bit Storage Density''), ovvero il rapporto tra la capacità di memorizzazione di un dato dispositivo (espressa in [[Byte]]) e l'area totale occupata sul [[Wafer (elettronica)|wafer]] di silicio (espressa in millimetri quadri).<ref name=":2" />

Si discuterà prima il trend di miniaturizzazione seguito fino al 2015. Dal 2015 in poi il mercato è stato dominato dai dispositivi ad integrazione verticale. Lo scaling dei dispositivi 3D-NAND verrà discusso in una sezione dedicata, trattando anche le motivazioni che hanno portato all'introduzione sul mercato di tali dispositivi.<ref name=":2" />