Memoria NAND flash: differenze tra le versioni

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[[File:NAND plan.jpg|miniatura|upright=1.5|Un chip da 4GB di memoria NAND flash.]]

[[File:NAND plan.jpg|miniatura|451x451px|Un chip da 4GB di memoria NAND flash.]]LaUna '''memoria NAND flash''' è un tipo di [[memoria non volatile]] a [[Unità di memoria a stato solido|stato solido]]. In quanto memoria non volatile, un dispositivo NAND flash è in grado di mantenere in memoria l'informazione anche se gli viene tolta l'alimentazione. Insieme all'architettura NOR, la NAND si costituisce una delle scelte di riferimento per lo sviluppo di [[Memoria flash|memorie flash]]. Ad oggi, l'archetipo NAND è il più presente sul mercato, trovando largo impiego nel settore dei [[personal computer]], [[smartphone]], [[Tablet computer|tablet]], [[Unità di memoria a stato solido|SSD]], [[Secure Digital|SD cards]] e [[Chiave USB|chiavette USB]].<ref name=":11">{{Cita web|url=https://www.enterprisestorageforum.com/hardware/nand-flash-storage/|titolo=What is Flash? NAND vs NOR|autore=Don Hall|sito=Enterprise Storage Forum|data=2023-06-05|lingua=en-US|accesso=2023-07-04}}</ref>

La memoria NAND flash è in grado di essere riscritta e le operazioni di scrittura e cancellazione possono essere effettuate grazie al solo ausilio di segnali elettrici. Si distingue in questo dalle memorie di sola lettura ([[Read Only Memory|ROM]]), che pur essendo non volatili non ammettono la riprogrammazione dell'informazione scritta. Grazie a questa sua caratteristica, la memoria NAND flash è principalmente impiegata per le attività di memorizzazione di larghi volumi di dati.<ref name=":11" />

La memoria NAND flash è stata il primo dispositivo elettronico al mondo a superare il trend di ''scaling'' planare previsto dalla [[legge di Moore]], introducendo il concetto di elettronica verticale (o elettronica 3D)<ref>{{Cita web|url=https://electronics360.globalspec.com/article/18517/the-rise-of-3d-nand-flash-memory|titolo=The rise of 3D NAND flash memory|titolo=The rise of 3D NAND flash memory|autore=Jody Dascalu|lingua=en|accesso=6 luglio 2023}}</ref>.

== Storia ==

Al principio dell'invenzione delle memorie flash, ed in particolare delle NAND flash, vi è l'idea del [[Transistor|transistore]] a ''[[Floating Gate MOSFET|floating-gate]]''. Questo dispositivo, progettato all'interno dei [[Bell Labs]] nel 1967 da [[Dawon Kahng]] e [[Simon Sze|Simon Min Sze]], dimostrò da subito le sue potenzialità nell'ambito applicativo delle memorie elettroniche. Fu però all'inizio degli anni ottanta, nei laboratori di [[Toshiba]] (ora [[Kioxia]]), che Fujio Masuoka e Hisakazu Iizuka<ref name=":1" /> gettarono le basi per lo sviluppo di un dispositivo di memorizzazione non volatile capace di supportare le operazioni di programmazione e cancellazione controllate interamente con segnali elettrici. Nel 1984 la prima memoria NOR flash fu commercializzata, mentre si dovette aspettare fino al 1987 per vedere il lancio sul mercato del primo prodotto NAND flash. In quegli anni il tipico taglio di memoria non volatile spaziava da 4 a 16[[Megabit|Mbit]] e la principale tecnologia di ''storage'' era quella a [[Disco magnetico|dischi magnetici]].<ref name=":3">{{Cita web|url=https://www.kioxia.com/en-jp/rd/technology/history.html|titolo=Technology Development History {{!}} KIOXIA - Japan (English)|sito=キオクシア株式会社|lingua=en-JP|accesso=2023-07-06}}</ref>

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== Voci correlate ==

* [[Memoria flash]]

* [[Unità di memoria a stato solido|Memoria a stato solido]]

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{{interprogetto}}

{{portale|informatica}}

[[Categoria:Memorie flash|Memorie flash]]

[[Categoria:Memorie flash|Memorie flash]]