LED: differenze tra le versioni

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Tra il [[2001]]<ref>{{Cita pubblicazione|cognome=Dadgar|nome=A.|cognome2=Alam|nome2= A.|cognome3=Riemann|nome3=T.|cognome4=Bläsing|nome4=J.|cognome5=Diez|nome5=A.|cognome6=Poschenrieder|nome6=M. |cognome7=Strassburg|nome7=M.|cognome8=Heuken|nome8=M.|cognome9=Christen|nome9=J.|cognome10=Krost|nome10=A. |titolo=Crack-Free InGaN/GaN Light Emitters on Si(111)|doi=10.1002/1521-396X(200111)188:1<155::AID-PSSA155>3.0.CO;2-P|rivista=Physica Status Solidi A|volume=188|pp=155–158|anno=2001|lingua=en}}</ref> e il [[2002]],<ref>{{Cita pubblicazione|cognome=Dadgar|nome=A.|cognome2=Poschenrieder|nome2=M.|cognome3=BläSing|nome3=J. |cognome4=Fehse|nome4=K.|cognome5=Diez|nome5=A.|cognome6=Krost|nome6=A.|doi=10.1063/1.1479455|titolo=Thick, crack-free blue light-emitting diodes on Si(111) using low-temperature AlN interlayers and in situ Si\sub x \sub y masking|rivista=Applied Physics Letters|volume=80|numero=20|p=3670|anno=2002|bibcode=2002ApPhL..80.3670D |lingua=en}}</ref> furono dimostrati con successo dei metodi di crescita del nitruro di gallio su [[silicio]] e, nel gennaio del [[2012]], [[OSRAM]] trovò il modo di produrre in quantità industriale LED in nitruro di indio e gallio (InGaN) cresciuti su substrati di silicio.<ref>{{Cita web|url=http://www.osram-os.de/osram_os/EN/Press/Press_Releases/Company_Information/2012/_documents/OSRAM_PI_Production_GaNonSi_e.pdf |titolo=Success in research: First gallium-nitride LED chips on silicon in pilot stage|accesso=15 settembre 2012|urlmorto=sì |urlarchivio=https://web.archive.org/web/20120915034646/http://www.osram-os.de/osram_os/EN/Press/Press_Releases/Company_Information/2012/_documents/OSRAM_PI_Production_GaNonSi_e.pdf |dataarchivio=15 settembre 2012|lingua=en}}</ref> Almeno fino al [[2017]], le aziende produttrici utilizzarono substrati di carburo di silicio, anche se il più comune rimase lo zaffiro poiché possiede proprietà molto simili al nitruro di gallio, cosa che riduce la formazione di difetti nella sua struttura cristallina durante la crescita.

Alla fine del decennio, [[Samsung]] e l'[[Università di Cambridge]] effettuano ricerche sui LED in nitruro di gallio cresciuti su substrato in silicio, inizialmente seguiti da [[Toshiba]] che però poi ne interrompe la ricerca.<ref>{{Cita web|autore=Steve Lester|anno=2014|url=https://apps1.eere.energy.gov/buildings/publications/pdfs/ssl/lester_substrate-pkg_tampa2014.pdf|titolo=Role of Substrate Choice on LED Packaging|editore=Toshiba America Electronic Components|lingua=en|accesso=4 agosto 2019|dataarchivio=12 luglio 2014|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20140712100725/https://apps1.eere.energy.gov/buildings/publications/pdfs/ssl/lester_substrate-pkg_tampa2014.pdf|urlmorto=sì}}</ref><ref>{{Cita web|url=https://www.gan.msm.cam.ac.uk/projects/silicon|titolo=GaN on Silicon|editore=Cambridge Centre for Gallium Nitride|lingua=en}}</ref><ref>{{Cita web|autore=Steve Bush|data=30 giugno 2016|url=https://www.electronicsweekly.com/blogs/led-luminaries/toshiba-gets-out-of-gan-on-si-leds-2016-06/ |titolo=Toshiba gets out of GaN-on-Si leds|lingua=en}}</ref><ref>{{Cita libro|doi=10.1109/IEDM.2013.6724622|capitolo=LED manufacturing issues concerning gallium nitride-on-silicon (GaN-on-Si) technology and wafer scale up challenges|titolo=2013 IEEE International Electron Devices Meeting|anno=2013|cognome=Nunoue|nome=Shin-ya|cognome2=Hikosaka|nome2=Toshiki|cognome3=Yoshida|nome3=Hisashi |cognome4=Tajima|nome4=Jumpei|cognome5=Kimura|nome5=Shigeya|cognome6=Sugiyama|nome6=Naoharu|cognome7=Tachibana |nome7=Koichi|cognome8=Shioda|nome8=Tomonari|cognome9=Sato|nome9=Taisuke|cognome10=Muramoto|nome10=Eiji |cognome11=Onomura|nome11=Masaaki|isbn=978-1-4799-2306-9|lingua=en}}</ref><ref>{{Cita web|autore=Maury Wright|data=2 maggio 2016|url=https://www.ledsmagazine.com/articles/2016/05/samsung-s-tarn-reports-progress-in-csp-and-gan-on-si-leds.html|titolo=Samsung's Tarn reports progress in CSP and GaN-on-Si LEDs|editore=LEDs Magazine|lingua=en}}</ref><ref>{{Cita web|url=https://compoundsemiconductor.net/article/99020/Increasing_The_Competitiveness_Of_The_GaN-on-silicon_LED|titolo=Increasing The Competitiveness Of The GaN-on-silicon LED|data=30 marzo 2016|lingua=en}}</ref><ref>{{Cita web|url=https://www.ledinside.com/news/2015/3/samsung_to_focus_on_silicon_based_led_chip_technology_in_2015 |titolo=Samsung To Focus on Silicon-based LED Chip Technology in 2015|editore=LED Inside|data=17 marzo 2015|lingua=en}}</ref> Alcuni hanno optato per la crescita epitassiale tramite [[Nanolitografia|litografia a nanostampa]]<ref>{{Cita web|url=https://www.digikey.com/en/articles/techzone/2013/jan/material-and-manufacturing-improvements-enhance-led-efficiency|titolo=Material and Manufacturing Improvements|autore=Steven Keeping|editore=DigiKey|data=15 gennaio 2013|lingua=en}}</ref><ref>{{Cita web|url=https://www.digikey.com/en/articles/techzone/2014/dec/manufacturers-shift-attention-to-light-quality-to-further-led-market-share-gains|titolo=Manufacturers Shift Attention to Light Quality to Further LED Market Share Gains|autore=Steven Keeping|editore=DigiKey|data=9 dicembre 2014|lingua=en}}</ref><ref>{{Cita web|url=https://www.digikey.com/en/articles/techzone/2013/sep/will-silicon-substrates-push-led-lighting-into-the-mainstream|titolo=Will Silicon Substrates Push LED Lighting|autore=Steven Keeping|editore=DigiKey|data=24 settembre 2013|lingua=en}}</ref><ref>{{Cita web|url=https://www.digikey.com/en/articles/techzone/2015/mar/improved-silicon-substrate-leds-address-high-solid-state-lighting-costs|titolo=Improved Silicon-Substrate LEDs Address High Solid-State Lighting Costs|autore=Steven Keeping|editore=DigiKey|data=23 marzo 2015|lingua=en}}</ref><ref>{{Cita web|url=http://www.toshiba-machine.co.jp/en/NEWS/product/20110518_04.html|titolo=Development of the Nano-Imprint Equipment ST50S-LED for High-Brightness LED|editore=Toshiba Machine|data=18 maggio 2011|lingua=en}}</ref><ref>{{Cita web|url=https://electroiq.com/2015/11/the-use-of-sapphire-in-mobile-device-and-led-industries-part-2/|2=Solid Statetate Technology|titolo=The use of sapphire in mobile device and LED industries: Part 2|data=26 settembre 2017|lingua=en|accesso=4 agosto 2019|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20180729111702/https://electroiq.com/2015/11/the-use-of-sapphire-in-mobile-device-and-led-industries-part-2/|dataarchivio=29 luglio 2018|urlmorto=sì}}</ref><ref>{{Cita web|url=http://www.appliedmaterials.com/semiconductor/products/epitaxy|titolo=Epitaxy|editore=Applied Materials|lingua=en}}</ref>, mentre altri per una crescita multistrato per ridurre le differenze tra strutture cristalline e tasso di espansione termica, nel tentativo di evitare rotture del chip alle alte temperature, diminuire l'emissione di calore e aumentare l'efficienza luminosa.

=== I LED bianchi e l'uso nell'illuminazione ===