Circuito integrato: differenze tra le versioni
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La creazione di circuiti integrati monolitici (chip) fu possibile dal processo di [[passivazione]] superficiale, che stabilizzava elettricamente il [[silicio]] mediante [[ossidazione termica]], rendendo possibile la fabbricazione dei dispositivi. La passivazione superficiale fu inventata da [[Mohamed M. Atalla]] presso il [[Bell Labs]] nel 1957. Questo rese possibile il [[processo planare]], sviluppato da [[Jean Hoerni]] alla [[Fairchild Semiconductor]] agli inizi del 1959.<ref>{{Cita libro|cognome1=Lojek |nome1=Bo |titolo=History of Semiconductor Engineering |data=2007 |editore=[[Springer Science & Business Media]] |isbn=978-3-540-34258-8 |pp=120 & 321–323}}</ref><ref name="Bassett46">{{Cita libro|cognome1=Bassett |nome1=Ross Knox |titolo=To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology |data=2007 |editore=[[Johns Hopkins University Press]] |isbn=978-0-8018-8639-3 |p=46 |url=https://books.google.com/books?id=UUbB3d2UnaAC&pg=PA46}}</ref><ref name="Sah">{{Cita pubblicazione|cognome=Sah |nome=Chih-Tang |wkautore=Chih-Tang Sah |titolo=Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI |rivista=[[Proceedings of the IEEE]] |data=ottobre 1988 |volume=76 |numero=10 |pp=1280–1326 (1290) |doi=10.1109/5.16328 |url=http://www.dejazzer.com/ece723/resources/Evolution_of_the_MOS_transistor.pdf |issn=0018-9219 |bibcode=1988IEEEP..76.1280S |citazione=Those of us active in silicon material and device research during 1956–1960 considered this successful effort by the Bell Labs group led by Atalla to stabilize the silicon surface the most important and significant technology advance, which blazed the trail that led to silicon integrated circuit technology developments in the second phase and volume production in the third phase.}}</ref> Un concetto chiave che sta dietro la realizzazione dei circuiti integrati a semiconduttore è il principio dell'[[isolamento a giunzione p-n]], che permette ad ogni transistor di operare in modo indipendente anche se appunto presenti sulla stessa superficie di silicio. Atalla con il suo processo permise di isolare elettricamente [[diodi]] e transistor,<ref name="Wolf">{{Cita pubblicazione|cognome1=Wolf |nome1=Stanley |titolo=A review of IC isolation technologies |rivista=Solid State Technology |data=marzo 1992 |p=63 |url=http://go.galegroup.com/ps/anonymous?id=GALE%7CA12308297}}</ref> permettendo la creazione di tali dispositivi a [[Kurt Lehovec]] presso la [[Robert C. Sprague|Sprague Electric]] nel 1959,<ref>Kurt Lehovec's patent on the isolation p–n junction: {{US patent|3029366}} granted on 10 April 1962, filed 22 April 1959. Robert Noyce acknowledges Lehovec in his article – "Microelectronics", ''[[Scientific American]]'', September 1977, Volume 23, Number 3, pp. 63–69.</ref> e a [[Robert Noyce]] della Fairchild lo stesso anno, qualche mese più tardi.<ref name=r6>{{Cita web |url=http://www.ieeeghn.org/wiki/index.php/Oral-History:Robert_N._Noyce |titolo=Interview with Robert Noyce, 1975–1976 |editore=IEEE |accesso=22 aprile 2012 |urlarchivio=https://www.webcitation.org/6AmdIVB3w?url=http://www.ieeeghn.org/wiki/index.php/Oral-History:Robert_N._Noyce |dataarchivio=19 settembre 2012 |urlmorto=sì}}</ref><ref>{{Cita libro|cognome=Brock |nome=D. |cognome2=Lécuyer |nome2=C. |titolo= Makers of the Microchip: A Documentary History of Fairchild Semiconductor |url= https://books.google.com/books?id=LaZpUpkG70QC |curatore= Lécuyer, C. |editore= MIT Press |anno= 2010 |isbn = 978-0-262-01424-3 |cid= CITEREFBrock2010 |p= 158}}</ref>
Negli [[anni
==Descrizione==
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