GDDR: differenze tra le versioni

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=== GDDR3 ===

LeLa specifichememoria GDDR3 è un tipo di memoria grafica specificata dallo standard [[JEDEC]] Semiconductor Memory, successore del GDDR2 e le cui specifiche sono state elaborate da [[ATI Technologies]], ma sono state adottate per la prima volta da nVidiaNVIDIA nella scheda GeForce FX 5700 Ultra e in seguito nella GeForce 6800 Ultra. ATI ha iniziato a utilizzare memorie GDDR3 a partire dalla serie [[Radeon]] X800.

Le caratteristiche delle GDDR3 sono del tutto simili a quelle delle DDR2, sebbene presentino un consumo e un surriscaldamento ridotto, permettendo maggiori velocità di funzionamento e sistemi di raffreddamento più semplici. Queste memorie utilizzano dei terminatori interni, che consentono di gestire meglio le informazioni necessarie all'elaborazione grafica e trasferiscono 4 [[bit]] di dati per pin in 2 cicli di [[clock]].

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=== GDDR4 ===

La memoria GDDR4 è un tipo di memoria grafica specificata dallo standard [[JEDEC]] Semiconductor Memory, successore del GDDR3. Le novità del standard riguardano l'introduzione di 2 nuove tecnologie, ''Data Bus Inversion'' (DBI) e Multi-Preamble, per ridurre i tempi di latenza, un prefetch di 8 bit contro i 4 delle GDDR3 e la possibilità di avere fino a 8 banchi di memoria. Per ottenere la stessa larghezza di banda delle GDDR3, la frequenza di funzionamento del core GDDR4 funziona alla metà delle prestazioni di un core GDDR3 con la stessa larghezza di banda nominale e il voltaggio è stato ridotto a 1,5 V.

GDDR4 è uno standard per le memorie video approvato dal [[JEDEC]], successore dello standard GDDR3.

InoltreGDDR4Inoltre GDDR4 espande il buffer di I/O del chip a 8 bit per due cicli, consentendo una maggiore larghezza di banda sostenuta durante la trasmissione burst, ma a scapito di una latenza CAS (CL) significativamente aumentata, determinata principalmente dal doppio numero ridotto di pin di indirizzo/comando e dalle celle DRAM half-clocked, rispetto a GDDR3. Il numero di pin di indirizzamento è stato ridotto alla metà di quello del core GDDR3 e sono stati utilizzati per l'alimentazione e la terra, il che aumenta anche la latenza. Un altro vantaggio della GDDR4 è l'efficienza energetica: con una velocità di 2,4 Gbit/s, utilizza il 45% di energia in meno rispetto ai chip GDDR3 con una velocità di 2,0 Gbit/s.

Le novità del standard riguardano l'introduzione di 2 nuove tecnologie, ''Data Bus Inversion'' (DBI) e Multi-Preamble, per ridurre i tempi di latenza, un prefetch di 8 bit contro i 4 delle GDDR3 e la possibilità di avere fino a 8 banchi di memoria. Per ottenere la stessa larghezza di banda delle GDDR3, la frequenza di funzionamento del core GDDR4 funziona alla metà delle prestazioni di un core GDDR3 con la stessa larghezza di banda nominale e il voltaggio è stato ridotto a 1,5 V.

Le memorie GDDR4 sono state utilizzate nelle schede ATi Radeon X1950, nelle HD2600/2900 XT, nelle HD3870, nelle HD4670 e nella HD4850 di PowerColor, mentre non sono state utilizzate da nVidiaNVIDIA per le sue schede di ultima generazione della serie [[GeForce 8]]/[[GeForce 9|9]] e GTX200.

InoltreGDDR4 espande il buffer di I/O del chip a 8 bit per due cicli, consentendo una maggiore larghezza di banda sostenuta durante la trasmissione burst, ma a scapito di una latenza CAS (CL) significativamente aumentata, determinata principalmente dal doppio numero ridotto di pin di indirizzo/comando e dalle celle DRAM half-clocked, rispetto a GDDR3. Il numero di pin di indirizzamento è stato ridotto alla metà di quello del core GDDR3 e sono stati utilizzati per l'alimentazione e la terra, il che aumenta anche la latenza. Un altro vantaggio della GDDR4 è l'efficienza energetica: con una velocità di 2,4 Gbit/s, utilizza il 45% di energia in meno rispetto ai chip GDDR3 con una velocità di 2,0 Gbit/s.

Le memorie GDDR4 sono state utilizzate nelle schede ATi Radeon X1950, nelle HD2600/2900 XT, nelle HD3870, nelle HD4670 e nella HD4850 di PowerColor, mentre non sono state utilizzate da nVidia per le sue schede di ultima generazione della serie [[GeForce 8]]/[[GeForce 9|9]] e GTX200.

=== GDDR5 ===

La memoria GDDR5 è unoun standardtipo perdi lememoria memoriegrafica videospecificata approvatodallo dalstandard [[JEDEC]] Semiconductor Memory, successore dellodel standardGDDR4 GDDR4,e apparso sul mercato con la [[ATI Radeon HD 4000 series|serie ATI HD4000]]. Inoltre sono stati prodotti i primi esemplari di [[Circuito integrato|chip]] da [[Qimonda]], [[Samsung]] e [[Hynix]]<ref name="Punto informatico">{{cita web|url=http://punto-informatico.it/p.aspx?i=2131958|accesso=3 aprile 2008|titolo=

GDDR5 da record per Samsung|autore=Punto Informatico}}</ref>.

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=== GDDR5X ===

La memoria GDDR5X è un tipo di memoria grafica specificata dallo standard [[JEDEC]] Semiconductor Memory, proposta come miglioria del GDDR5. Presenta una larghezza di banda doppia rispetto alla GDDR5 (da 256bit a 512bit) e una frequenza di clock maggiore.

=== GDDR6 ===

RilasciataLa nelmemoria luglioGDDR6 2017è daun tipo di memoria grafica specificata dallo standard [[JEDEC]] Semiconductor Memory, successore del GDDR5X e rilasciata nel luglio 2017<ref name="GRAPHICS DOUBLE DATA RATE 6 (GDDR6) SGRAM STANDARD"> {{cita web|url=https://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd250b|titolo=GRAPHICS DOUBLE DATA RATE 6 (GDDR6) SGRAM STANDARD|accesso=16 giugno 2020|autore=JEDEC}}</ref>, offre una larghezza di banda per pin fino a 16 Gbit/s con un voltaggio operativo minore (1,35 [[V|Volt]])e aumentando le prestazioni e diminuendo il consumo energetico rispetto a GDDR5X.

=== GDDR6X ===

IntrodotteLa memoria GDDR6X è un tipo di memoria grafica specificata dallo standard [[JEDEC]] Semiconductor Memory, proposta come miglioria del GDDR6 e sono state introdotte per la prima volta nella [[GeForce 30 series|Geforce 30 series]] di [[NVIDIA|Nvidia]], le GDDR6X sviluppate da Micron offrono una maggiore larghezza di banda per pin tra 19 e 21 Gbit/s con la modulazione dell'PAM4 (modulazione di ampiezza dell'impulso a 4 livelli (PAM4), checonsentendo permettela un trasferimentotrasmissione di datidue ilbit doppioper piùsimbolo veloce.e PAM4sostituendo aumentala precedente codifica NRZ (Non-return-to-zero, PAM2) che forniva solo un bit per simbolo, limitando così la larghezza di banda aper 84pin GB/sdi eGDDR6 implementaa un16 minor consumo elettricoGbit/s.<ref>{{Cita web|url=https://www.hwupgrade.it/news/memorie/gddr6x-cosa-cambia-rispetto-alle-gddr6-ce-lo-spiega-micron_91741.html|titolo=}}</ref> La segnalazione PAM4 non è nuova, ma costa di più da implementare, in parte perché richiede più spazio nei chip ed è più soggetta a problemi di rapporto segnale/rumore (SNR). GDDR6X consuma il 15% in meno di energia per bit trasferito rispetto a GDDR6, ma il consumo energetico complessivo è maggiore poiché GDDR6X è più veloce di GDDR6. In media, PAM4 consuma meno energia e utilizza meno pin rispetto alla segnalazione differenziale, pur essendo più veloce di NRZ. Si ritiene che GDDR6X sia più economica della memoria ad alta larghezza di banda.

=== GDDR7 ===

La memoria GDDR7 è un tipo di memoria grafica specificata dallo standard [[JEDEC]] Semiconductor Memory, successore del GDDR6X, presentata da Samsung al Samsung Tech Day 2022, in grado di fornire fino a 36 GT/s. Samsung ha poi annunciato due mesi dopo che avrebbe utilizzato la segnalazione PAM-3 per ottenere la massima velocità di trasferimento. Il 5 marzo 2024, JEDEC ha pubblicato ufficialmente e pubblicamente lo standard di memoria grafica GDDR7. Le memorie GDDR7 hanno introdotto la modulazione PAM3 (modulazione di ampiezza dell'impulso a 3 livelli) al posto di NRZ (Non-return-to-zero, PAM2). PAM-3 è il 20% più efficiente dal punto di vista energetico rispetto a NRZ con una larghezza di banda maggiore e ha requisiti di apparecchiature inferiori rispetto a PAM-4, il che lo rende più economico. PAM-3 utilizza 1,58 bit per ciclo, mentre NRZ utilizza solo 1 bit per ciclo.

== Note ==