MOSFET: differenze tra le versioni

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[[File:D2PAK.JPG|thumb|upright=1.0|Due MOSFET di potenza]]

In [[informatica]] ed [[elettronica]] un '''MOSFET''' (o '''MOS-FET''' oppure '''MOS FET''', [[acronimo]] dell'[[Lingua inglese|inglese]] ''Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor'', {{Lett|transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore}} e spesso conosciuto come '''transistore MOS''') è un tipo di [[transistor]] [[transistor a effetto di campo|a effetto di campo]] largamente usato nel campo dell'[[elettronica digitale]], ma diffusa anche nell'[[elettronica analogica]]. Indicato anche come '''IGFET''' (''Insulated-Gate Field-Effect Transistor'', {{Lett|transistor a effetto di campo a gate isolato}}).<ref>{{Cita|Sedra-Smith, 2004|p. 356}}.</ref>

Il principio di funzionamento del transistor ad effetto di campo è stato ideato da [[Julius Edgar Lilienfeld|Lilienfeld]] nel [[1925]], mentre il primo MOSFET fu realizzato da [[Dawon Kahng|Kahng]] e [[Martin Atalla|Atalla]] nel [[1959]] presso i [[Bell Laboratories]].<ref>{{cita web|url=http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1960-MOS.html|titolo=Computer History - 1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated|accesso=4 dicembre 2010}}</ref>

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Ulteriore vantaggio della tecnologia MOSFET risiede nel fatto che nei circuiti digitali lo strato di ossido tra il gate e il canale impedisce ad ogni corrente in continua di scorrere attraverso il gate, riducendo il consumo di potenza. In uno stato logico distinto questo isola efficacemente un MOSFET dallo stadio precedente e successivo, essendo il terminale di gate solitamente comandato dall'uscita di una porta logica precedente; permettendo inoltre una maggiore facilità nel progettare indipendentemente i vari stadi logici.

=== CMOS ===