Memoria NAND flash: differenze tra le versioni
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La rappresentazione di più di un bit rallenta l'operazione di lettura della singola cella, poiché per <math>N</math> bits memorizzati nel singolo transistore sono necessarie <math>2^N-1</math> singole operazioni di lettura. Oltre a ciò, la stessa operazione di programmazione viene rallentata tanto più sono i bit memorizzati per singola cella, poiché la maggiore precisione necessaria al posizionamento della <math>V_T</math> impone un rallentamento dell'algoritmo di programmazione o l'impiego di metodi più raffinati per eseguire la stessa operazione.<ref name=":7" />
[[File:Cell types SLC-PLC in comparison 20211102.svg|miniatura|upright=1.5|Diagramma schematico di confronto tra le distribuzioni dei livelli logici per una memoria NAND flash a funzionamento SLC, MLC, TLC, QLC e PLC]]
Ad oggi sul mercato sono ancora presenti tutte le tipologie di NAND flash
* SLC: sono le memorie con le migliori performance in termini di ''endurance'', con un funzionamento garantito fino ai 100'000 cicli di programmazione/cancellazione. Data la loro relativa semplicità, le operazioni di lettura e programmazione sono estremamente veloci. A parità di taglio di memoria rappresentano la tipologia di NAND flash più costosa a causa della bassa densità di bit memorizzati per numero di transistori fisici. Ad oggi non trovano largo impiego nel mercato consumer ma vengono impiegate principalmente nei settori in cui è necessaria un'alta affidabilità ed un mantenimento delle performance per periodi molto lunghi, come nel caso di applicazioni [[server]].
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