Drogaggio per diffusione termica: differenze tra le versioni
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La diffusione termica è un processo di [[drogaggio]] nel quale i wafer di silicio vengono portati a temperature superiori a 1000°C per attivare la diffusione del drogante nel silicio stesso.
Raggiunta la concentrazione desiderata, è sufficiente abbassare la temperatura dei wafer, estraendoli dalla fornace, per far crollare i valori del [[coefficiente di diffusione]] e per bloccare così l'omonimo processo.
Il processo diffusivo si articola fondamentalmente in tre fasi:
1) apertura di una finestra sulla zona della matrice cristallina da trattare (questa fase è necessaria in quanto la matrice cristallina di silicio viene protetta con uno strato di ossido di silicio SiO<sub>2</sub> che risulta essere impermeabile agli agenti droganti);
2)predeposizione (usulamente abbreviata in predep), cioè introduzione della dose desiderata di drogante, dove la dose, essendo l'integrale della concentrazione di drogante, è il numero di atomi di drogante per cm<sup>2</sup>;
3)dry-in, che consiste nel bloccaggio della dose e nel lasciare che il drogante diffonda più in profondità, dato che un difetto della predeposizione è proprio quello di far accumulare il drogante troppo vicino all'interfaccia tra la matrice cristallina del silicio e l'atmosfera o, ugualmente, lo strato solido, ricca di droganti.
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