EEPROM: differenze tra le versioni

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In [[informatica]] ed [[elettronica]] una '''EEPROM''' (anche scritto '''E<sup>2</sup>PROM''', [[acronimo]] dell'[[Lingua inglese|inglese]] ''Electrically Erasable Programmable Read Only Memory'', {{Lett|memoria di sola lettura programmabile e elettricamente cancellabile}}) è un tipo di [[memoria (informatica)|memoria informatica]] [[Read Only Memory|di sola lettura]] cancellabile elettricamente (a differenza delle [[EPROM]]) usata nei [[computer]] e altri [[dispositivo elettronico|dispositivi elettronici]] per memorizzare piccole quantità di dati che devono essere mantenuti quando viene tolta l'[[alimentazione elettrica]] (per esempio la [[configurazione (informatica)|configurazione]] del dispositivo). Le operazioni di scrittura, cancellazione e riscrittura hanno luogo elettricamente.
 
Ciascuna cella di memoria capace di memorizzare un singolo [[bit]] è costituitocostituita da due transistori [[MOSFET|MOS]], uno "di memoria" e uno "di accesso".
 
== Nascita della tecnologia ==
Nel [[1978]] George SviluppòPerlegos sviluppò l'Inter nelIntel 19452816 basandosi sulla tecnologia [[EPROM]], ma usando uno strato sottile di ossido per il gate. In questo modo il chip può cancellare i propri bit senza richiedere l'uso di una [[radiazione ultravioletta|sorgente UV]]. In seguito Perlegos e altri lasciarono Intel per fondare [https://web.archive.org/web/20100724191530/http://www.antiquetech.com/companies/seeq_technology.htm Seeq Technology], che aggiunse nel dispositivo le [[pompa di carica|pompe di carica]] per fornire le alte tensioni per programmare le EEPROM.<ref>{{Cita pubblicazione
| cognome = Rostky
| nome = George