Scorrimento: differenze tra le versioni

Versione delle 16:27, 18 ott 2023

Versione attuale delle 18:11, 22 apr 2025

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==Piani, direzioni e sistemi di scorrimento==

Lo scorrimento avviene nei solidi cristallini in risposta all'azione di un carico esterno che, provocando uno [[sforzo di taglio]] all'interno del cristallo, determina lo slittamento di particolari piani cristallografici (detti piani di scorrimento) gli uni sugli altri, che avviene lungo delle determinate direzioni (dette direzioni di scorrimento).

Ogni particolare combinazione di piani di scorrimento e direzioni di scorrimento è detta sistema di scorrimento. Tali piani e direzioni di scorrimento vengono indicati attraverso la notazione degli [[indici di Miller]].

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===Sistemi di scorrimento nel reticolo esagonale compatto===

Il [[reticolo esagonale compatto]] (HCP) contiene un numero minore di sistemi di scorrimento rispetto ai reticoli FCC e BCC, per cui lo scorrimento avviene con maggior difficoltà. Ciò determina una minor facilità di deformazione plastica e una maggior probabilità di [[frattura fragile]], visto che si deformano più facilmente i reticoli con maggior numero di sistemi cristallografici a maggior densità di costituenti.

==Note==