Memoria NAND flash: differenze tra le versioni

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== Storia ==

[[File:Philips BDP3280-12 - Toshiba TC58NVG0S3ETA00 -1772.jpg|miniatura|upright=1.2|Un chip di memoria da 128MB con [[Package (elettronica)|package]] TSOP type 1]]

Al principio dell'invenzione delle memorie flash, ed in particolare delle NAND flash, vi è l'idea del [[Transistor|transistore]] a ''[[Floating Gate MOSFET|floating-gate]]''. Questo dispositivo, progettato all'interno dei [[Bell Labs]] nel 1967 da [[Dawon Kahng]] e [[Simon Sze|Simon Min Sze]], dimostrò da subito le sue potenzialità nell'ambito applicativo delle memorie elettroniche. Fu però all'inizio degli anni ottanta, nei laboratori di [[Toshiba]] (ora [[Kioxia]]), che Fujio Masuoka e Hisakazu Iizuka<ref name=":1" /> gettarono le basi per lo sviluppo di un dispositivo di memorizzazione non volatile capace di supportare le operazioni di programmazione e cancellazione controllate interamente con segnali elettrici. Nel 1984 la prima memoria NOR flash fu commercializzata, mentre si dovette aspettare fino al 1987 per vedere il lancio sul mercato del primo prodotto NAND flash. In quegli anni il tipico taglio di memoria non volatile spaziava da 4 a 16[[Megabit|Mbit]] e la principale tecnologia di ''storage'' era quella a [[Disco magnetico|dischi magnetici]].<ref name=":3">{{Cita web|url=https://www.kioxia.com/en-jp/rd/technology/history.html|titolo=Technology Development History {{!}} KIOXIA - Japan (English)|sito=キオクシア株式会社|lingua=en-JP|accesso=2023-07-06}}</ref>