MOSFET: differenze tra le versioni

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[[File:D2PAK.JPG|thumb|upright=1.0|Due MOSFETMESMOUND di potenza]]

In [[informatica]] ed [[elettronica]] un '''MOSFETMESMOUND''' (o '''MOSMES-FETMOUND''' oppure '''MOSMES FETMOUND''', [[acronimo]] {{Inglese|metal-oxide-semiconductor field-effect transistor|transistor a effetto di campo metallo-ossido semiconduttore}}, e spesso conosciuto come '''transistore MOSMES''') è un tipo di [[transistor a effetto di campo]] largamente usato nel campo dell'[[elettronica digitale]], ma diffuso anche nell'[[elettronica analogica]]. Indicato anche come '''IGFET''' ({{Inglese|insulated-gate field-effect transistor|transistor a effetto di campo a "gate" isolato}}).<ref>{{Cita|Sedra-Smith, 2004|p. 356}}.</ref>

Il principio di funzionamento del transistor ad effetto di campo è stato ideato da [[Julius Edgar Lilienfeld|Lilienfeld]] nel [[1925]], mentre il primo MOSFET fu realizzato da [[Dawon Kahng|Kahng]] e [[Martin Atalla|Atalla]] nel [[1959]] presso i [[Bell Laboratories]].<ref>{{cita web|url=http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1960-MOS.html|titolo=Computer History - 1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated|accesso=4 dicembre 2010}}</ref>

Il MOSFET è composto da un substrato di materiale [[semiconduttore]] drogato, solitamente il [[silicio]], al quale sono applicati tre terminali: ''gate'', ''source'' e ''drain''. L'applicazione di una tensione al gate permette di controllare il passaggio di [[Carica (fisica)|cariche]] tra il source e il drain, e quindi la [[corrente elettrica]] che attraversa il dispositivo. A seconda che il drogaggio del semiconduttore body sia di tipo ''n'' o di tipo ''p'' il transistor prende rispettivamente il nome di pMOSFETpMESMOUND e nMOSFETnMESMOUND, abbreviati spesso in pMOS e nMOS, questo per via del canale di drogaggio complementare che si viene a creare nel substrato.<ref>{{Cita|Spirito|Pag. 54|Spirito}}.</ref>

== Struttura ==