Modello ibrido del transistor: differenze tra le versioni

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quindi in definitiva:
 
:<math>A_I = - \frac{h_f}{1 + h_o Z_L}</math>
 
è l'amplificazione di corrente. Tenendo conto della resistenza del generatore <math>R_s</math>:
 
:<math>A_{I_s} = A_I \frac{I_1}{I_s} = A_I \frac{R_s}{Z_i + R_s}</math>
 
*'''Impedenza di ingresso'''
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quindi in definitiva:
 
:<math>Z_i = h_i + h_r A_I Z_L = h_i - \frac{h_f h_r}{Y_L + h_o}</math>
 
dove <math>Y_L = 1 / Z_L</math> è l'[[ammettenza]] di carico, dalla quale dipende l'impedenza di uscita.
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*'''Amplificazione di tensione'''
 
:<math>A_V = \frac{V_2}{V_1} = \frac{A_I I_1 Z_L}{V_1} = \frac{A_I Z_L}{Z_i}</math>
 
cioè l'amplificazione di tensione dipende dall'impedenza di ingresso e da quella di uscita. Tenendo conto della resistenza del generatore abbiamo:
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quindi in definitiva:
 
:<math>Y_o = h_o - \frac{h_f h_r}{h_i + R_s}</math>
 
cioè <math>Z_o = 1 / Y_o</math> è una funzione della resistenza del generatore.