CMOS: differenze tra le versioni
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Si fonda su una struttura circuitale costituita dalla serie di una rete di "Pull-Up" ed una di "Pull-Down". La prima s'incarica di replicare correttamente il livello logico alto '''LL1''' mentre alla seconda è destinata la gestione del livello logico basso '''LL0'''.
La rete di Pull-Up è costituita di soli '''P-MOS''', ovvero quel particolare tipo di transistori [[MOS]] che si "accendono" solo se la tensione presente al loro ''gate'' è minore della loro tensione di soglia.Inversamente la rete di Pull-Down è costituita di soli '''N-MOS''', ovvero quel particolare tipo di transistori MOS che si accendono solo se la tensione presente al loro gate è maggiore della loro tensione di soglia.
[[Image:Static CMOS Inverter.png|right|]]Per poter capire meglio come sia strutturata la tecnologia CMOS può risultare utile osservare una porta logica NOT realizzata con tecnologia CMOS. Si può notare come, nell'eventualità che il segnale d'ingresso sia a LL1, sia il solo N-MOS ad attivarsi portando l'uscita a LL0. Inversamente, con l'ingresso a LL0, è il solo P-MOS ad attivarsi portando l'uscita a LL1. Particolarità di questa porta logica è di avere lo swing logico pieno, cioè pari alla massima tensione applicata, Vcc; inoltre nè la rete di pull-up nè la rete di pull-down soffre di effetto body. La componentistica realizzata in questa tecnologia è caratterizzata da un consumo di corrente estremamente basso.
[[Categoria:Elettronica]]
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